[发明专利]扇出式基板及其形成方法在审
申请号: | 202110703770.2 | 申请日: | 2021-06-24 |
公开(公告)号: | CN113643984A | 公开(公告)日: | 2021-11-12 |
发明(设计)人: | 黄文宏 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/498 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 扇出式基板 及其 形成 方法 | ||
本发明提供了一种形成扇出式基板的方法,包括:提供并排设置的第二线路层和第一线路层;通过引线将第一线路层电连接至第二线路层;翻转第一线路层以将第一线路层接合至第二线路层的上表面。本发明的目的在于提供一种扇出式基板及其形成方法,以提高扇出式基板的良率。
技术领域
本申请的实施例涉及扇出式基板及其形成方法。
背景技术
因应高阶终端产品所需,封装件(PKG)尺寸越来越大,输入/输出(I/O)数越来越多,基板层数也越来越多,因此使用混合扇出式基板技术满足高阶产品需求。扇出式基板是透过粘合层去结合扇出线路层与基板,再通过通孔连通线路层与基板之间的电性通道。
发明内容
针对相关技术中存在的问题,本发明的目的在于提供一种扇出式基板及其形成方法,以提高扇出式基板的良率。
为实现上述目的,本发明提供了一种形成扇出式基板的方法,包括:提供并排设置的第二线路层和第一线路层;通过引线将第一线路层电连接至第二线路层;翻转第一线路层以将第一线路层接合至第二线路层的上表面。
在一些实施例中,在翻转第一线路层时,弯折引线。
在一些实施例中,引线在第二线路层和第一线路层之间的侧壁处具有弯折部。
在一些实施例中,在通过引线将第一线路层电连接至第二线路层后,在第二线路层和第一线路层上形成粘合层,粘合层包覆引线,在翻转第一线路层后,粘合层位于第一线路层和第二线路层之间。
在一些实施例中,第二线路层和第一线路层并排放置时,在第二线路层和第一线路层之间具有间隙,粘合层部分地填充间隙,在翻转第一线路层后,粘合层位于第二线路层和第一线路层的部分侧壁上。
在一些实施例中,在翻转后,第二线路层上的粘合层和第一线路层上的粘合层之间具有分界面。
在一些实施例中,分界面位于粘合层的厚度的一半的位置处。
在一些实施例中,在翻转后,粘合层的高度与第二线路层的高度的比率在1/2和2/3之间。
在一些实施例中,在翻转之前,引线的第一端部位于第一线路层的邻近第二线路层的一侧,引线的第二端部位于第二线路层的邻近第一线路层的一侧。
在一些实施例中,第一线路层和第二线路层在翻转后相互面对的面积小于25mm*25mm。
本申请的实施例还提供一种扇出式基板,包括:第二线路层;第一线路层,位于第二线路层上方;引线,位于第二线路层和第一线路层之间并电连接第二线路层和第一线路层,引线在扇出式基板的侧边处具有弯折部。
在一些实施例中,引线仅位于扇出式基板的一侧。
在一些实施例中,在扇出式基板的具有引线的一侧,第二线路层和第一线路层的侧壁对齐。
在一些实施例中,在扇出式基板的任一侧,第二线路层和第一线路层的侧壁对齐。
在一些实施例中,还包括:粘合层,位于第二线路层和第一线路层之间,粘合层包覆引线。
在一些实施例中,粘合层包覆引线的弯折部。
在一些实施例中,粘合层还延伸覆盖第一线路层和第二线路层的部分侧壁,粘合层不覆盖第一线路层和第二线路层的整个侧壁。
在一些实施例中,粘合层的位于第一线路层的侧壁上的部分的高度、与粘合层的位于第二线路层的侧壁上的部分的高度相同。
在一些实施例中,第一线路层中线路的的线宽/间距为2μm至5μm,第二线路层中线路的的线宽/间距小于10μm。
在一些实施例中,第一线路层面向第二线路层的有源侧。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造