[发明专利]半导体存储装置及其制作工艺

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于，包括：

衬底；

有源结构，设置在所述衬底中，所述有源结构包括：

第一有源区，包括多个有源区单元彼此平行并且沿着第一方向延伸；以及

第二有源区，设置在所述第一有源区外侧，环绕所有的所述有源区单元；

浅沟渠隔离，设置在所述衬底中，围绕所述有源结构；

多条字线，设置在所述衬底内，所述字线延伸于第二方向并与所述有源区单元交错，所述第二方向相交且不垂直于所述第一方向，所述字线包括多条第一字线以及多条第二字线，所述第一字线以第一间距沿着垂直于所述第二方向的第三方向依序排列，所述第二字线以第二间距沿着所述第三方向排列，其中，第二间距大于第一间距，第二间距为第一字线与第二字线之间的间距；

至少一第一触点，设置在所述有源区单元上并介于两相邻的所述第一字线之间；以及

至少一第二触点，设置在所述有源区单元上并介于相邻的所述第一字线以及所述第二字线之间，其中，所述第二触点在所述第一方向上的宽度大于所述第一触点在所述第一方向上的宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，一部分的所述有源区单元连接所述第二有源区，所述第二触点不接触所述一部分的所述有源区单元。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于，所述第二字线直接接触部分的所述一部分的所述有源区单元的端部。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，进一步包括：

多条位线，设置在所述衬底上并与所述字线交错，所述位线延伸于所述第三方向上并分别连接所述第一触点以及所述第二触点。

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其特征在于，所述位线分别与所述第一触点以及所述第二触点一体成形。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述第二有源区包括沿着所述第二方向延伸的第一侧边和沿着所述第三方向延伸的第二侧边，并且所述第一侧边平行于所述字线。

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，部分的所述有源区单元的一端接触所述第二字线，另一端接触所述第二有源区。

8.一种半导体存储装置的制作工艺，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底中形成有源结构，所述有源结构包括：

第一有源区，包括多个有源区单元彼此平行并且沿着第一方向延伸；以及

第二有源区，设置在所述第一有源区外侧，环绕所有的所述有源区单元；

在所述衬底中形成浅沟渠隔离，围绕所述有源结构；

在所述衬底内形成多条字线，所述字线延伸于第二方向并与所述有源区单元交错，所述第二方向相交且不垂直于所述第一方向，所述字线包括多条第一字线以及多条第二字线，所述第一字线以第一间距沿着垂直于所述第二方向的第三方向依序排列，所述第二字线以第二间距沿着所述第三方向排列，其中，第二间距大于第一间距，第二间距为第一字线与第二字线之间的间距；以及

在所述衬底上形成多个触点，所述触点包括：

至少一第一触点，设置在所述有源区单元上并介于两相邻的所述第一字线之间；以及

至少一第二触点，设置在所述有源区单元上并介于相邻的所述第一字线以及所述第二字线之间，其中，所述第二触点在所述第一方向上的宽度大于所述第一触点在所述第一方向上的宽度。

9.根据权利要求8所述的半导体存储装置的制作工艺，其特征在于，一部分的所述有源区单元连接所述第二有源区，所述触点不接触所述一部分的所述有源区单元。

10.根据权利要求9所述的半导体存储装置的制作工艺，其特征在于，所述第二字线直接接触部分的所述一部分的所述有源区单元的端部。