[发明专利]功率半导体器件

权利要求书

1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括：覆金属绝缘陶瓷衬底以及对称设置在所述覆金属绝缘陶瓷衬底上的上桥臂单元和下桥臂单元，其中，

所述上桥臂单元包括第一功率金属箔片、第二功率金属箔片和第三功率金属箔片，其中，所述第三功率金属箔片上设置有对称分布的第一突出结构和第二突出结构，并且在远离所述第一突出结构和所述第二突出结构的另一侧还设置有第一漏极连接区域和第二漏极连接区域，其中，所述第一突出结构和所述第二突出结构上规律并且对称地排布有数量相同的第一功率半导体芯片，所述第一功率金属箔片在所述第一漏极连接区域通过第一金属线与所述第三功率金属箔片相连，并且所述第二功率金属箔片在所述第二漏极连接区域通过第二金属线与所述第三功率金属箔片相连，以进行功率传输；

所述下桥臂单元包括第四功率金属箔片，所述第四功率金属箔片围绕在所述第三功率金属箔片周围，所述第四功率金属箔片在远离所述第三功率金属箔片的方向延伸设置有第三突出结构和第四突出结构，并且在靠近所述第一功率半导体芯片的位置设置有源极连接区域，其中，所述第三突出结构和所述第四突出结构上规律并且对称地排布有数量相同的第二功率半导体芯片，所述第四功率金属箔片在所述源极连接区域通过第三金属线与所述第一功率半导体芯片的源极相连，以进行功率传输；其中，

将所述第一功率金属箔片、第二功率金属箔片和所述第三功率金属箔片互连的金属线上的回路与所述第四功率金属箔片上的电流回路形成交叉，使得内部磁场相互抵消。

2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述上桥臂单元还包括第一漏极功率端子和第二漏极功率端子，其中，

所述第一功率金属箔片和所述第二功率金属箔片对称设置在所述覆金属绝缘陶瓷衬底的两侧，所述第一功率金属箔片和所述第二功率金属箔片在靠近所述覆金属绝缘陶瓷衬底窄边的一侧设置有所述第一漏极功率端子和所述第二漏极功率端子的超声焊接区域，并且在靠近所述覆金属绝缘陶瓷衬底长边的一侧的中心位置设置有第一金属线超声焊接区域。

3.根据权利要求2所述的功率半导体器件，其特征在于，所述上桥臂单元还包括第一漏极信号端子和第二漏极信号端子，其中，

所述第二功率金属箔片在靠近所述覆金属绝缘陶瓷衬底窄边的两侧设置有所述第一漏极信号端子和所述第二漏极信号端子的超声焊接区域。

4.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述上桥臂单元还包括第一信号金属箔片、第二信号金属箔片、第一源极信号端子和第一栅极信号端子，所述第一信号金属箔片和所述第二信号金属箔片被所述第三功率金属箔片和所述第四功率金属箔片包围，其中，

在所述第一信号金属箔片靠近所述覆金属绝缘陶瓷衬底窄边的一侧设置有所述第一源极信号端子，并在靠近所述第一功率半导体芯片的位置均匀设置有第二金属线超声焊接区域，通过第四金属线将所述第一功率半导体芯片的源极与所述第一信号金属箔片相连，形成Kelvin连接以传输源极信号；

在所述第二信号金属箔片靠近所述覆金属绝缘陶瓷衬底窄边的一侧设置有所述第一栅极信号端子，并在靠近所述第一功率半导体芯片的位置均匀设置有第三金属线超声焊接区域，通过第五金属线将所述第一功率半导体芯片的栅极与所述第二信号金属箔片相连，以传输所述第一功率半导体芯片的控制信号。

5.根据权利要求4所述的功率半导体器件，其特征在于，所述上桥臂单元还包括第一源极功率端子，在所述第四功率金属箔片靠近所述覆金属绝缘陶瓷衬底窄边的一侧设置有所述第一源极功率端子的超声焊接区域，并在所述第一源极功率端子的超声焊接区域左侧以及靠近所述第一源极信号端子和第一栅极信号端子的区域设置有多条第六金属线，以增加回路通流面积。