[发明专利]功率半导体器件

说明书

本发明提供了一种功率半导体器件，包括：上桥臂单元包括第一功率金属箔片、第二功率金属箔片和第三功率金属箔片，其中，第三功率金属箔片上设置有对称分布的第一突出结构和第二突出结构，其上规律并且对称地排布有数量相同的第一功率半导体芯片，第一功率金属箔片与第三功率金属箔片相连，并且第二功率金属箔片与第三功率金属箔片相连；下桥臂单元包括第四功率金属箔片，在远离第三功率金属箔片的方向延伸设置有第三突出结构和第四突出结构，并且在靠近第一功率半导体芯片的位置设置有源极连接区域，其中，第三突出结构和第四突出结构上规律并且对称地排布有数量相同的第二功率半导体芯片。由此，能够有效地降低功率半导体器件内部的杂散电感。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种功率半导体器件。

背景技术

相关技术中，功率板导体器件无法有效地降低其内部的杂散电感，因此，在关断时，其电压尖峰很容易超过额定电压，从而导致击穿，可靠性和安全性较低。

发明内容

本发明为解决上述技术问题，提供了一种功率半导体器件，能够有效地降低功率半导体器件内部的杂散电感，从而大大提高了功率半导体器件的可靠性和安全性。

本发明采用的技术方案如下：

一种功率半导体器件，包括：覆金属绝缘陶瓷衬底以及对称设置在所述覆金属绝缘陶瓷衬底上的上桥臂单元和下桥臂单元，其中，所述上桥臂单元包括第一功率金属箔片、第二功率金属箔片和第三功率金属箔片，其中，所述第三功率金属箔片上设置有对称分布的第一突出结构和第二突出结构，并且在远离所述第一突出结构和所述第二突出结构的另一侧还设置有第一漏极连接区域和第二漏极连接区域，其中，所述第一突出结构和所述第二突出结构上规律并且对称地排布有数量相同的第一功率半导体芯片，所述第一功率金属箔片在所述第一漏极连接区域通过第一金属线与所述第三功率金属箔片相连，并且所述第二功率金属箔片在所述第二漏极连接区域通过第二金属线与所述第三功率金属箔片相连，以进行功率传输；所述下桥臂单元包括第四功率金属箔片，所述第四功率金属箔片围绕在所述第三功率金属箔片周围，所述第四功率金属箔片在远离所述第三功率金属箔片的方向延伸设置有第三突出结构和第四突出结构，并且在靠近所述第一功率半导体芯片的位置设置有源极连接区域，其中，所述第三突出结构和所述第四突出结构上规律并且对称地排布有数量相同的第二功率半导体芯片，所述第四功率金属箔片在所述源极连接区域通过第三金属线与所述第一功率半导体芯片的源极相连，以进行功率传输；其中，将所述第一功率金属箔片、第二功率金属箔片和所述第三功率金属箔片互连的金属线上的回路与所述第四功率金属箔片上的电流回路形成交叉，使得内部磁场相互抵消。

所述上桥臂单元还包括第一漏极功率端子和第二漏极功率端子，其中，所述第一功率金属箔片和所述第二功率金属箔片对称设置在所述覆金属绝缘陶瓷衬底的两侧，所述第一功率金属箔片和所述第二功率金属箔片在靠近所述覆金属绝缘陶瓷衬底窄边的一侧设置有所述第一漏极功率端子和所述第二漏极功率端子的超声焊接区域，并且在靠近所述覆金属绝缘陶瓷衬底长边的一侧的中心位置设置有第一金属线超声焊接区域。

所述上桥臂单元还包括第一漏极信号端子和第二漏极信号端子，其中，所述第二功率金属箔片在靠近所述覆金属绝缘陶瓷衬底窄边的两侧设置有所述第一漏极信号端子和所述第二漏极信号端子的超声焊接区域。