[发明专利]一种自催化生长制备高导热石墨烯膜的方法

权利要求书

1.一种自催化生长制备高导热石墨烯膜的方法，其特征在于：包括如下步骤：

第一步，采用搅拌的方式，将氧化石墨烯分散至单层氧化石墨烯；

第二步，将通过涂布工艺，将单层氧化石墨烯制成薄膜；

第三步，第二步得到的单层氧化石墨烯薄膜置于炭化炉中，升温至250℃，得到脱掉部分氧原子，并残留缺陷结构的薄膜；

第四步，继续升温，升温至1000℃时，加入碳源进行碳化处理；

第五步，石墨烯缺陷在碳源产生的碳等离子气氛中修复，生长成大片的石墨烯；

第六步，将生长的大片的石墨烯置于石墨化炉内，通过缓慢加热至2000℃，得到高导热石墨烯膜。

2.根据权利要求1所述的一种自催化生长制备高导热石墨烯膜的方法，其特征在于：第一步中所述搅拌速度为1000-10000转/min，搅拌时间为1h-10h。

3.根据权利要求1所述的一种自催化生长制备高导热石墨烯膜的方法，其特征在于：第二步中所述薄膜的厚度为20-200微米。

4.根据权利要求1所述的一种自催化生长制备高导热石墨烯膜的方法，其特征在于：第四步中所述碳源包括气体碳源或固体碳源。

5.根据权利要求4所述的一种自催化生长制备高导热石墨烯膜的方法，其特征在于：所述气体碳源包括甲烷或乙炔，加入量为10ml/min-100ml/min。

6.根据权利要求4所述的一种自催化生长制备高导热石墨烯膜的方法，其特征在于：所述固体碳源包括固体碳源包括蔗糖、聚乙烯醇或聚丙烯腈，加入量为石墨烯膜重量的0.5%-10%。

7.根据权利要求1所述的一种自催化生长制备高导热石墨烯膜的方法，其特征在于：第四步中所述碳化时间为1-5h。