[发明专利]一种用于优化光刻工艺的方法及装置、计算机存储介质在审
申请号: | 202110712768.1 | 申请日: | 2021-06-25 |
公开(公告)号: | CN113589654A | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | 范泰安;韦亚一;粟雅娟;董立松 | 申请(专利权)人: | 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人: | 刘贺秋 |
地址: | 510535 广东省广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 优化 光刻 工艺 方法 装置 计算机 存储 介质 | ||
1.一种用于优化光刻工艺的方法,其特征在于,包括:
获取目标光刻胶的数据;所述目标光刻胶的数据包括光刻胶空间数据和光刻胶成分数据;
根据所述光刻胶空间数据对所述目标光刻胶占据的空间进行分割,以确定多个单元块;每个所述单元块上均设置有格点;
根据所述光刻胶成分数据确定所述目标光刻胶上各个格点位置处的原始状态信息;
根据预设工艺参数和所述原始状态信息确定经过曝光后的所述目标光刻胶上各个格点位置处的当前状态信息;
通过所述当前状态信息预测显影后的目标光刻胶形貌。
2.根据权利要求1所述的用于优化光刻工艺的方法,其特征在于,所述根据所述光刻胶成分数据确定所述目标光刻胶上各个格点位置处的原始状态信息包括:
通过所述光刻胶成分数据得到目标光刻胶的酸分子浓度分布信息、酸抑制剂浓度分布信息及反应物浓度分布信息;
利用所述酸分子浓度分布信息、所述酸抑制剂浓度分布信息以及所述反应物浓度分布信息确定所述目标光刻胶上各个格点位置处的原始状态信息;
其中,所述原始状态信息包括:所述目标光刻胶上各个格点位置处的原始酸分子浓度信息、原始酸抑制剂浓度信息及原始反应物浓度信息。
3.根据权利要求2所述的用于优化光刻工艺的方法,其特征在于,所述根据预设工艺参数和所述原始状态信息确定经过曝光后的所述目标光刻胶上各个格点位置处的当前状态信息包括:
根据预设工艺参数仿真具有所述原始状态信息的目标光刻胶的曝光过程;
获取经过曝光的所述目标光刻胶上各个格点位置处的当前状态信息;
其中,所述当前状态信息包括:所述目标光刻胶上各个格点位置处的当前酸分子浓度信息、当前酸抑制剂浓度信息及当前反应物浓度信息。
4.根据权利要求2所述的用于优化光刻工艺的方法,其特征在于,
所述酸分子浓度分布信息为酸分子浓度拉普拉斯分布信息;
所述酸抑制剂浓度分布信息为酸抑制剂浓度拉普拉斯分布信息;
所述反应物浓度分布信息为反应物浓度拉普拉斯分布信息。
5.根据权利要求1所述的用于优化光刻工艺的方法,其特征在于,还包括:
根据所述目标光刻胶形貌校准曝光过程中使用的预设工艺参数。
6.根据权利要求1所述的用于优化光刻工艺的方法,其特征在于,还包括:
根据所述目标光刻胶形貌调整目标光刻胶的数据。
7.根据权利要求1所述的用于优化光刻工艺的方法,其特征在于,所述根据所述光刻胶空间数据对所述目标光刻胶占据的空间进行分割,以确定多个单元块,包括:
根据所述光刻胶空间数据确定所述目标光刻胶的长度信息、宽度信息及高度信息,所述目标光刻胶呈长方体形状;
基于所述长度信息、所述宽度信息及所述高度信息对所述目标光刻胶占据的空间进行均匀地分割,以确定多个长方体形状的单元块;
其中,所述格点为长方体形状的单元块上的一个顶点。
8.根据权利要求7所述的用于优化光刻工艺的方法,其特征在于,
所述长方体形状的单元块的长度小于10纳米。
9.一种用于优化光刻工艺的装置,其特征在于,包括:
数据获取模块,用于获取目标光刻胶的数据;所述目标光刻胶的数据包括光刻胶空间数据和光刻胶成分数据;
空间分割模块,用于根据所述光刻胶空间数据对所述目标光刻胶占据的空间进行分割,以确定多个单元块;每个所述单元块上均设置有格点;
状态读取模块,用于根据所述光刻胶成分数据确定所述目标光刻胶上各个格点位置处的原始状态信息;
曝光仿真模块,用于根据预设工艺参数和所述原始状态信息确定经过曝光后的所述目标光刻胶上各个格点位置处的当前状态信息;
形貌预测模块,用于通过所述当前状态信息预测显影后的目标光刻胶形貌。
10.一种计算机存储介质,其特征在于,所述计算机存储介质上存储有计算机程序指令,所述计算机程序指令被一个或多个处理器执行时实现如权利要求1至8中任一项权利要求所述的用于优化光刻工艺的方法。
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