[发明专利]一种用于优化光刻工艺的方法及装置、计算机存储介质

说明书

本发明能够提供一种用于优化光刻工艺的方法及装置、计算机存储介质。该方法包括如下步骤：获取目标光刻胶的数据，目标光刻胶的数据包括光刻胶空间数据和光刻胶成分数据；根据该光刻胶空间数据对目标光刻胶占据的空间进行分割，以确定多个单元块。每个单元块上均设置有格点；根据光刻胶成分数据确定目标光刻胶上各个格点位置处的原始状态信息，根据预设工艺参数和原始状态信息确定经过曝光后的目标光刻胶上各个格点位置处的当前状态信息；通过当前状态信息预测显影后的目标光刻胶形貌；本发明能够提前预测出显影后的光刻胶形貌，以指导和优化实际光刻工艺，并有助于对新品种或新类型光刻胶的研发，推进研发进度和降低研发成本。

技术领域

本发明涉及光刻工艺技术领域，更为具体来说，本发明能够提供一种用于优化光刻工艺的方法及装置、计算机存储介质。

背景技术

随着集成电路技术的演进，缩小集成电路技术节点面临着越来越多的挑战。其中，光刻工艺是整个集成电路制造工艺中必不可少的关键技术。技术节点的缩小需要光刻工艺将越来越小的电路图形转移到光刻胶上，以制造出更小尺寸的晶体管和提高单位面积的晶体管数量。光刻工艺的核心过程可包括：在衬底上涂抹光刻胶，并使光源发出的光经过掩模后照射到光刻胶上，使光刻胶上接收光照的部分发生光化学反应和其他化学反应，从而改变受到光照的部分光刻胶在显影液中的溶解性，由不可溶变为可溶或者由可溶变为不可溶。

在光刻胶上形成需要的图案是光刻工艺的根本和关键，但是由于现有技术存在局限，经常需要大量实验和尝试才能够确定适合的光刻胶和工艺条件，不仅影响了光刻工艺的研发进度，同时需要投入大量的人力和物力。

发明内容

为解决现有技术在确定光刻工艺条件和光刻胶上存在的问题，本发明能够提供一种用于优化光刻工艺的方法及装置、计算机存储介质，以达到优化光刻工艺条件、推进工艺研发进度以及降低成本的投入等技术目的。

为实现上述的技术目的，本发明能够提供一种用于优化光刻工艺的方法，该方法包括但不限于如下的一个或多个步骤。

获取目标光刻胶的数据。所述目标光刻胶的数据包括光刻胶空间数据和光刻胶成分数据。

根据所述光刻胶空间数据对所述目标光刻胶占据的空间进行分割，以确定多个单元块。每个所述单元块上均设置有格点。

根据所述光刻胶成分数据确定所述目标光刻胶上各个格点位置处的原始状态信息。

根据预设工艺参数和所述原始状态信息确定经过曝光后的所述目标光刻胶上各个格点位置处的当前状态信息。

通过所述当前状态信息预测显影后的目标光刻胶形貌。

进一步地，所述根据所述光刻胶成分数据确定所述目标光刻胶上各个格点位置处的原始状态信息包括：

通过所述光刻胶成分数据得到目标光刻胶的酸分子浓度分布信息、酸抑制剂浓度分布信息及反应物浓度分布信息。

利用所述酸分子浓度分布信息、所述酸抑制剂浓度分布信息以及所述反应物浓度分布信息确定所述目标光刻胶上各个格点位置处的原始状态信息。

其中，所述原始状态信息包括：所述目标光刻胶上各个格点位置处的原始酸分子浓度信息、原始酸抑制剂浓度信息及原始反应物浓度信息。

进一步地，所述根据预设工艺参数和所述原始状态信息确定经过曝光后的所述目标光刻胶上各个格点位置处的当前状态信息包括：

根据预设工艺参数仿真具有所述原始状态信息的目标光刻胶的曝光过程。

获取经过曝光的所述目标光刻胶上各个格点位置处的当前状态信息。

其中，所述当前状态信息包括：所述目标光刻胶上各个格点位置处的当前酸分子浓度信息、当前酸抑制剂浓度信息及当前反应物浓度信息。