[发明专利]隔离结构的制备方法、高压发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种用于高压发光器件的隔离结构的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成线条型绝缘层；

以所述线条型绝缘层为掩膜，对所述衬底进行蚀刻，以形成n个线条型隔离墙以及n-1个沟槽，得到所述隔离结构，其中，相邻两个所述沟槽由所述线条型隔离墙隔开。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：

去除所述线条型绝缘层，使所述线条型隔离墙处的所述衬底上表面露出。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在衬底上形成线条型绝缘层的步骤包括：

通过电子束蒸发或等离子体增强化学气相沉积工艺在所述衬底上形成所述线条型绝缘层；

其中，所述线条型绝缘层的材料为二氧化硅或氮化硅，所述线条型绝缘层的厚度为0.5～2μm。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述以所述线条型绝缘层为掩膜，对所述衬底进行蚀刻，以形成n个线条型隔离墙以及n-1个沟槽，得到所述隔离结构的步骤包括：

以所述线条型绝缘层为掩膜，对所述衬底进行电感耦合等离子体蚀刻，以形成n个线条型隔离墙以及n-1个沟槽；

其中，形成的所述沟槽的深度为3～5μm，形成的所述线条型隔离墙的宽度为3～8μm。

5.一种高压发光器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供一隔离结构，所述隔离结构由如权利要求1～4任一项所述的方法制备得到；

在n-1个沟槽上分别生长n-1个发光外延层，其中，所述发光外延层包括层叠设置的第一半导体层、有源层以及第二半导体层，所述发光外延层在所述第一半导体层朝向所述第二半导体层一侧形成有台面结构，且使靠近线条型隔离墙一侧的所述第一半导体层的部分上表面露出；

形成n-1个绝缘介质层，其中，第1个所述绝缘介质层覆盖第1个所述第二半导体背离所述衬底一侧的局部区域，第i个所述绝缘介质层覆盖第i个所述第二半导体背离所述衬底一侧的局部区域、相邻两个所述发光外延层之间的第i个所述线条型隔离墙、以及靠近第i个所述线条型隔离墙一侧的第i-1个所述第一半导体层的局部上表面；

形成n-1个电流扩散层，其中，第1个所述电流扩散层覆盖第1个所述绝缘介质层背离所述第二半导体的一侧，第i个所述电流扩散层覆盖第i个所述绝缘介质层背离所述第二半导体的一侧以及第i个所述第二半导体背离所述衬底一侧的局部区域；

形成n-2个互联金属层，其中，第i-1个所述互联电极层覆盖第i-1个所述第一半导体层的局部上表面、第i个所述绝缘介质层以及第i个所述电流扩散层背离所述绝缘介质层的一侧，以使由所述线条型隔离墙隔开的相邻两个所述发光外延层彼此电性串联；

在第1个所述电流扩散层背离所述绝缘介质层的一侧形成第一导电类型电极，在第n个所述第一半导体层的局部上表面形成第二导电类型电极，得到所述高压发光器件；

其中，2≤i≤n-1，且i、n均为整数。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述高压发光器件背离所述衬底的一侧形成钝化层；

对所述钝化层进行蚀刻，以使所述第一导电类型电极背离所述衬底一侧的局部区域、所述第二导电类型电极背离所述衬底一侧的局部区域以及第n个所述线条型隔离墙背离所述衬底的一侧露出。