[发明专利]隔离结构的制备方法、高压发光器件及其制造方法

说明书

本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种用于高压发光器件的隔离结构的制备方法、高压发光器件及其制造方法，该用于高压发光器件的隔离结构的制备方法，包括：在衬底上形成线条型绝缘层；以线条型绝缘层为掩膜，对衬底进行蚀刻，以形成n个线条型隔离墙以及n‑1个沟槽，得到隔离结构，其中，相邻两个沟槽由线条型隔离墙隔开。通过上述方式，本申请通过衬底上的线条型隔离墙隔离各发光外延层，避免因蚀刻有源层造成有源层面积损失，提升有源层的利用率。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种用于高压发光器件的隔离结构的制备方法、高压发光器件及其制造方法。

背景技术

近几年由于技术与效率的进步，LED应用越来越广。随着LED应用的升级，市场对于LED的需求朝向更大功率及更高亮度，即高功率LED方向发展。对于实现高功率LED，目前高压发光二极管的设计成为解决方案之一。

本申请的发明人在长期的研发过程中，发现目前高压发光二极管是通过将多个LED单元串联或串并联结合的方式来实现，所用的LED单元为分立器件，或者，通过单片集成的方式在同一衬底上制作相互分离的LED单元。对于单片集成方案，为了实现GaN基LED单元之间的隔离，需在GaN层深蚀刻出沟道以分隔各个LED单元的外延结构，而串联各个LED单元的金属连接线需要穿越沟道，为了保证串联时的金属连接线不发生断裂，蚀刻角度一般都会控制在50°以下，这就导致各LED单元的有源层蚀刻面积过大，利用率低，同时，被蚀刻的表面有大量的非辐射复合中心严重制约其光学性能的提高。

发明内容

本申请提供一种用于高压发光器件的隔离结构的制备方法、高压发光器件及其制造方法，以解决现有技术中存在的技术问题。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种用于高压发光器件的隔离结构的制备方法，包括：在衬底上形成线条型绝缘层；以线条型绝缘层为掩膜，对衬底进行蚀刻，以形成n个线条型隔离墙以及n-1个沟槽，得到隔离结构，其中，相邻两个沟槽由线条型隔离墙隔开。

为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种高压发光器件的制造方法，包括：提供一隔离结构，隔离结构由前述的方法制备得到；在n-1个沟槽上分别生长n-1个发光外延层，其中，发光外延层包括层叠设置的第一半导体层、有源层以及第二半导体层，发光外延层在第一半导体层朝向第二半导体层一侧形成有台面结构，且使靠近线条型隔离墙一侧的第一半导体层的部分上表面露出；形成n-1个绝缘介质层，其中，第1个绝缘介质层覆盖第1个第二半导体背离衬底一侧的局部区域，第i个绝缘介质层覆盖第i个第二半导体背离衬底一侧的局部区域、相邻两个发光外延层之间的第i个线条型隔离墙、以及靠近第i个线条型隔离墙一侧的第i-1个第一半导体层的局部上表面；形成n-1个电流扩散层，其中，第1个电流扩散层覆盖第1个绝缘介质层背离第二半导体的一侧，第i个电流扩散层覆盖第i个绝缘介质层背离第二半导体的一侧以及第i个第二半导体背离衬底一侧的局部区域；形成n-2个互联金属层，其中，第i-1个互联电极层覆盖第i-1个第一半导体层的局部上表面、第i个绝缘介质层以及第i个电流扩散层背离绝缘介质层的一侧，以使由线条型隔离墙隔开的相邻两个发光外延层彼此电性串联；在第1个电流扩散层背离绝缘介质层的一侧形成第一导电类型电极，在第n个第一半导体层的局部上表面形成第二导电类型电极，得到高压发光器件；其中，2≤i≤n-1，且i、n均为整数。