[发明专利]驱动基板、其制备方法、显示面板组件及电子设备

权利要求书

1.一种驱动基板，其特征在于，包括：

第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层，所述第一有源层包括锌锡氧化物层；以及

第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管与所述第一薄膜晶体管间隔设置且电连接，所述第二薄膜晶体管包括第二有源层，所述第二有源层包括低温多晶硅层。

2.根据权利要求1所述的驱动基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管还包括第一栅介质层，所述第一栅介质层设置于所述第一有源层的表面，所述第一栅介质层的厚度为130nm至150nm。

3.根据权利要求2所述的驱动基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管为底栅结构或双栅结构，所述第一薄膜晶体管还包括第一栅极，所述第一栅极设置于所述第一栅介质层远离所述第一有源层的表面，所述第一栅介质层靠近所述第一有源层的表面的粗糙度为0.1nm至1nm。

4.根据权利要求3所述的驱动基板，其特征在于，当所述第一薄膜晶体管为双栅结构时，所述第一薄膜晶体管还包括第二栅介质层；所述第二栅介质层设置于所述第一有源层远离所述第一栅介质层的表面，所述第二栅介质层包括层叠设置的第一子栅介质层及第二子栅介质层；所述第一子栅介质层相较于所述第二子栅介质层靠近所述第一有源层设置，所述第一子栅介质层的致密性小于所述第二子栅介质层的致密性。

5.根据权利要求1所述的驱动基板，其特征在于，所述锌锡氧化物层包括锌氧化物和锡氧化物，所述锌氧化物和锡氧化物的摩尔比为1.5:1至2.5:1。

6.一种驱动基板的制备方法，其特征在于，所述驱动基板包括阵列排布的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括第一栅极，第一栅介质层及第一有源层，所述第一栅介质层设置于所述第一栅极的表面，所述第一有源层设置于所述第一栅介质层远离所述第一栅极的表面且对应所述第一栅极设置；所述方法包括：

制备第一栅极；

在所述第一栅极的表面沉淀第一栅介质层，所述第一栅介质层的沉淀速度为0.1nm/s至0.5nm/s；以及

在所述第一栅介质层远离所述第一栅极的表面沉积半导体层，并对所述半导体层进行刻蚀形成第一有源层，所述第一有源层包括锌锡氧化物层。

7.根据权利要求6所述的驱动基板的制备方法，其特征在于，所述第一栅介质层为二氧化硅层，所述第一栅介质层的原料组分包括SiH₄及N₂O，所述SiH₄的流量为15sccm至25sccm，所述N₂O的流量为60sccm至120sccm，所述SiH₄及所述N₂O的流量比的范围为1:4至1:6；所述第一栅介质层的沉淀温度为300℃至350℃。

8.根据权利要求6所述的驱动基板的制备方法，其特征在于，所述薄膜晶体管为底栅结构或双栅结构，所述在所述第一栅介质层远离所述第一栅极的表面形成沉积半导体层之后，所述对所述半导体层进行刻蚀形成第一有源层之前，所述方法还包括：

对所述半导体层进行真空退火，所述真空退火的温度为300℃至350℃，所述真空退火的时间为50min至70min；

所述对所述半导体层进行刻蚀形成第一有源层之后，所述方法还包括：

对进行氧气退火，所述氧气退火的温度为300℃至350℃，所述氧气退火的时间为3h至6h。