[发明专利]驱动基板、其制备方法、显示面板组件及电子设备

说明书

本申请提供一种驱动基板、其制备方法、显示面板组件及电子设备。所述驱动基板包括：第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层，所述第一有源层包括锌锡氧化物层；以及第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管与所述第一薄膜晶体管间隔设置且电连接，所述第二薄膜晶体管包括第二有源层，所述第二有源层包括低温多晶硅层。本申请实施例的驱动基板采用锌锡氧化物替代铟镓锌氧化物作为有源层，成本低且不污染环境。

技术领域

本申请涉及电子领域，具体涉及一种驱动基板、其制备方法、显示面板组件及电子设备。

背景技术

当前的铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZO薄膜晶体管)的漏电少，能够保证低刷新率时的稳定性，且功耗较低，因此，常用于显示面板的驱动基板中。然而，IGZO薄膜晶体管制备时需要使用金属镓作为原材料，使得制得的薄膜晶体管价格昂贵，且还需要使用铟作为原材料，铟有毒，对于环境污染严重。

发明内容

针对上述问题，本申请实施例提供一种驱动基板，其采用锌锡氧化物替代铟镓锌氧化物作为有源层，成本低且不污染环境。

本申请实施例提供一种驱动基板，其包括：第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层，所述第一有源层包括锌锡氧化物层；以及第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管与所述第一薄膜晶体管间隔设置且电连接，所述第二薄膜晶体管包括第二有源层，所述第二有源层包括低温多晶硅层。

本申请实施例还提供了一种驱动基板的制备方法，所述驱动基板包括阵列排布的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括第一栅极，第一栅介质层及第一有源层，所述第一栅介质层设置于所述第一栅极的表面，所述第一有源层设置于所述第一栅介质层远离所述第一栅极的表面且对应所述第一栅极设置；所述方法包括：

制备第一栅极；

在所述第一栅极的表面沉淀第一栅介质层，所述第一栅介质层的沉淀速度为0.1nm/s至0.5nm/s；以及

在所述第一栅介质层远离所述第一栅极的表面沉积半导体层，并对所述半导体层进行刻蚀形成第一有源层，所述第一有源层包括锌锡氧化物层。

本申请实施例还提供了一种驱动基板的制备方法，所述驱动基板包括阵列排布的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括所述薄膜晶体管包括衬底，第二栅极，第二栅介质层、第一有源层、第一源极及第一漏极；所述第一有源层设置于所述衬底的一侧，所述第二栅介质层设置于所述第一有源层远离所述衬底的表面，所述第二栅极设置于所述第二栅介质层远离所述第一有源层的表面；所述第一源极和第一漏极间隔设置且分别与所述第一有源层电连接；所述方法包括：

在衬底的一侧形成半导体层，并进行刻蚀形成第一有源层；

对所述第一有源层进行等离子体处理；

在所述第一有源层远离所述衬底的表面沉积第二栅介质层；

进行氧气退火处理；

在第二栅介质层远离所述衬底的表面形成第二栅极层，并依次对所述第二栅极层及第二栅介质层进行图形化，形成第二栅极，并露出第一有源层对应第一源极和第一漏极的区域；

对第一有源层对应第一源极和第一漏极的区域进行等离子体处理；

在所述第二栅极远离所述衬底的表面形成钝化层，并对所述钝化层进行刻蚀；以及

在所述钝化层远离所述第一栅极的表面形成第一源极和第一漏极。

本申请实施例还提供了一种显示面板组件，其包括：

本申请实施例所述的驱动基板；以及

显示层，所述显示层与所述驱动基板电连接，并在所述驱动基板的驱动下进行内容显示。

本申请还实施例提供一种电子设备，其包括：