[发明专利]复合镀膜玻璃及其制备方法

说明书

本申请属于玻璃技术领域，尤其涉及一种复合镀膜玻璃及其制备方法。其中，复合镀膜玻璃的制备方法，包括步骤：获取玻璃基底，至少在所述玻璃基底的一侧表面采用真空磁控溅射方法制备PVD镀层；在所述PVD镀层背离所述玻璃基底的表面采用化学气相沉积方法制备CVD镀层，得到复合镀膜玻璃。本申请实施例复合镀膜玻璃的制备方法，工艺简单，适用于工业化大规模生产和应用，制备的复合镀膜玻璃通过PVD镀层和CVD镀层的协同作用，同时提高了复合镀膜玻璃的透过率和环境耐久性，且膜面色差较小，组件功率高，抗老化能力强，可满足高端光伏组件的应用需求。

技术领域

本申请属于玻璃技术领域，尤其涉及一种复合镀膜玻璃及其制备方法。

背景技术

全球太阳能光伏市场发展迅猛。随着技术的积累与进步，人们对高功率太阳能晶硅电池的追求从未停止。同时，针对不同使用环境，太阳能组件细分了不同种类，以面对不同客户需求。对光伏玻璃企业也提出了更高的要求。尤其是太阳能组件企业对光伏玻璃企业提出了高效率、高环境耐久性AR镀膜(增透射玻璃或减反射玻璃)前板光伏玻璃的需求。

普通AR镀膜玻璃一般为单层膜，一般采用辊涂镀膜工艺或者采用CVD镀膜工艺制备，制备的AR镀膜玻璃通过多孔SiO₂溶胶成膜，膜层显示深蓝紫色，透光率衰减大，很难达到理想的增透效果，膜面色差大，容易导致组件功率衰减超标，组件功率低，环境耐久性差，难以满足高端组件的需求。

发明内容

本申请的目的在于提供一种复合镀膜玻璃及其制备方法，旨在一定程度上解决现有AR镀膜玻璃增透效果差，膜面色差大，组件功率低，环境耐久性差的问题。

为实现上述申请目的，本申请采用的技术方案如下：

第一方面，本申请提供一种复合镀膜玻璃的制备方法，包括以下步骤：

获取玻璃基底，至少在所述玻璃基底的一侧表面采用真空磁控溅射方法制备PVD镀层；

在所述PVD镀层背离所述玻璃基底的表面采用化学气相沉积方法制备CVD镀层，得到复合镀膜玻璃。

进一步地，所述PVD镀层的折射率为1.45～2.30。

进一步地，所述PVD镀层的材料包括SiO₂、氧化钛、氧化铌中的至少一种。

进一步地，所述PVD镀层的厚度为50～100nm。

进一步地，所述CVD镀层的折射率为1.26～1.33。

进一步地，所述CVD镀层的材料包括SiO₂、氟化镁中的至少一种。

进一步地，所述CVD镀层的厚度为80～130nm。

进一步地，所述真空磁控溅射方法的条件包括：在真空度不高于10-3Pa，工作气体为惰性气体，反应气体为氧气，靶材纯度不低于5N，功率为10～30KW，电压为200～400V的条件下，在所述玻璃基底表面磁控溅射沉积所述PVD镀层。

进一步地，所述化学气相沉积方法的条件包括：在温度为20～40℃，湿度为40～70％的条件下，在所述PVD镀膜表面沉积镀层溶胶，固化处理，形成所述CVD镀层。

进一步地，所述固化处理的步骤包括：在所述PVD镀膜表面沉积所述镀层溶胶后，在温度为150～200℃的条件下干燥去除溶胶中的溶剂，再在温度为680～720℃的条件下进行高温烧结，形成所述CVD镀层，得到所述复合镀膜玻璃。

第二方面，本申请提供一种复合镀膜玻璃，所述复合镀膜玻璃包括玻璃基底，至少贴合设置在所述玻璃地基层一侧表面的PVD镀层，以及贴合设置在所述PVD镀层背离所述玻璃基底表面的CVD镀层。

进一步地，所述PVD镀层的折射率为1.45～2.30。