[发明专利]一种正负向阈值电压均可调节的施密特触发器

权利要求书

1.一种正负向阈值电压均可调节的施密特触发器，其特征在于，包括PMOS晶体管组、NMOS晶体管组及反相器(9)；

所述PMOS晶体管组包括第一PMOS晶体管(1)、第二PMOS晶体管(2)、第三PMOS晶体管(3)，所述NMOS晶体管组包括第一NMOS晶体管(5)、第二NMOS晶体管(6)、第三NMOS晶体管(7)；

第一PMOS晶体管(1)、第一NMOS晶体管(5)的输入端口均为输入信号IN，第三PMOS晶体管(3)正向阈值电压调节信号ADP；第三NMOS晶体管(7)的输入端口为负向阈值电压调节信号ADN，第二PMOS晶体管(2)、第二NMOS晶体管(6)的输出端口均为输出信号OUT；PMOS晶体管组、NMOS晶体管组的栅极输入端均与输入端口相连，PMOS晶体管组的源极和体连接电源VDD，NMOS晶体管组的源极和体连接地GND，所述PMOS晶体管组的漏极、NMOS晶体管组的漏极及反相器(9)的输入端相连。

2.根据权利要求1所述的施密特触发器，其特征在于：所述PMOS晶体管组中，

第一PMOS晶体管(1)的漏极连接第一NMOS晶体管的漏极(5)、第二NMOS晶体管(6)的漏极、第二PMOS晶体管(2)的漏极和反相器(9)的输入端，第一PMOS晶体管(1)的源极和体连接电源VDD，栅极连接输入信号IN；

第二PMOS晶体管(2)的漏极连接第一PMOS晶体管(1)的漏极、第一NMOS晶体管(5)的漏极、第二NMOS晶体管(6)的漏极和反相器(9)的输入端，第二PMOS晶体管(2)的源极连接第三PMOS晶体管(3)的漏极，体连接电源VDD，第二PMOS晶体管(2)的栅极连接反相器(9)的输出端；

第三PMOS晶体管(3)的漏极连接第二PMOS晶体管(2)的源极，第三PMOS晶体管(3)的源极和体连接电源VDD，第三PMOS晶体管(3)的栅极连接正向阈值电压调节信号ADP。

3.根据权利要求2所述的施密特触发器，其特征在于：所述反相器(9)的输入端连接第一PMOS晶体管(1)的漏极、第一NMOS晶体管(5)的漏极和第二PMOS晶体管(2)的漏极，所述反相器(9)的输出端连接输出信号OUT。

4.根据权利要求3所述的施密特触发器，其特征在于：所述反相器(9)包括第四PMOS晶体管(4)和第四NMOS晶体管(8)，其中第四PMOS晶体管(4)的源极和体连接电源VDD，第四PMOS晶体管(4)的漏极连接第四NMOS晶体管(8)的漏极和输出端OUT，第四PMOS晶体管(4)的栅极连接输入端IN；第四NMOS晶体管(8)的源极和体连接地GND，第四NMOS晶体管(8)的漏极连接第四PMOS晶体管(4)的漏极和输出端OUT，第四NMOS晶体管(8)的栅极连接输入端IN。