[发明专利]一种正负向阈值电压均可调节的施密特触发器

说明书

本发明公开了一种正负向阈值电压均可调节的施密特触发器，包括PMOS晶体管组、NMOS晶体管组及反相器，第一PMOS晶体管、第一NMOS晶体管的输入端口均为输入信号IN、第三PMOS晶体管正向阈值电压调节信号ADP；第三NMOS晶体管的输入端口为负向阈值电压调节信号ADN，第二PMOS晶体管、第二NMOS晶体管的输出端口均为输出信号OUT。PMOS晶体管组、NMOS晶体管组的栅极输入端均与输入端口相连，PMOS晶体管组的源极和体连接电源VDD，NMOS晶体管组的源极和体连接地GND，所述PMOS晶体管组的漏极、NMOS晶体管组的漏极及反相器的输入端相连。本发明通过调节正向阈值电压调节信号ADP的电压，就可以改变正向阈值电压；本发明通过调节负向阈值电压调节信号ADN的电压，就可以改变负向阈值电压。

技术领域

本发明涉及施密特触发器技术领域，具体涉及一种正负向阈值电压均可调节的施密特触发器。

背景技术

施密特触发器往往放置在集成电路的输入端口作为波形整形电路，能将外界带干扰的信号波形整形为标准的方波波形，降低外界干扰对集成电路内部的影响，提高集成电路的处理速度。传统的施密特触发器为图1所示的结构。

施密特触发器有两个稳定状态，但与一般触发器不同的是，施密特触发器采用电位触发方式，其状态由输入信号电位维持。参见图2所示，对于负向递减和正向递增两种不同变化方向的输入信号，施密特触发器有不同的阈值电压。即，当输入电压高于正向阈值电压，输出为高；当输入电压低于负向阈值电压，输出为低；当输入在正负向阈值电压之间，输出不改变，也就是说输出由高电平翻转为低电平，或是由低电电平翻转为高电电平时所对应的阈值电压是不同的。只有当输入电平发生足够的变化时，输出电平才会变化。

有从业者提出一种施密特触发器电路(中国专利申请201710190467.0)，包括由MOS管组成的倒相电路、第一反馈电路和第一反相器；所述倒相电路，用于通过其翻转电压决定触发器的负向阈值电压；所述反馈电路，用于通过改变MOS管的宽长比改变正向阈值电压；所述第一反相器，用于对所述倒相电路的输出信号整形。该施密特触发器电路通过改变MOS管的宽长比来实现触发器阈值电压的改变，只能在施密特触发器电路设计时改变阈值电压，无法在电路制造完成后工作时动态调整正向或负向阈值电压。

但随着集成电路的发展，宽电压控制等应用场景希望集成电路输入端口的施密特触发器的正向阈值电压和负向阈值电压均可调节。显然的是，现有的施密特触发器尚未满足该要求。

发明内容

本发明要解决的技术问题就在于，针对现有技术存在的技术问题，本发明提供一种结构简单、成本低廉、制作简便、适用范围广的正负向阈值电压可均调节的施密特触发器。

为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：

一种正负向阈值电压可均调节的施密特触发器，包括PMOS晶体管组、NMOS晶体管组及反相器，第一PMOS晶体管、第一NMOS晶体管的输入端口均为输入信号IN、第三PMOS晶体管正向阈值电压调节信号ADP；第三NMOS晶体管的输入端口为负向阈值电压调节信号ADN，第二PMOS晶体管、第二NMOS晶体管的输出端口均为输出信号OUT；PMOS晶体管组、N MOS晶体管组的栅极输入端均与输入端口相连，PMOS晶体管组的源极和体连接电源VDD，NMOS晶体管组的源极和体连接地GND，所述PMOS晶体管组的漏极、NMOS晶体管组的漏极及反相器的输入端相连。

作为本发明的进一步改进：所述PMOS晶体管组包括第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管，所述NMOS晶体管组包括第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管。