[发明专利]忆阻器件、忆阻器件制作方法及显示面板

权利要求书

1.一种忆阻器件，其特征在于，包括：

第一金属层；

金属氧化物层；

第二金属层；

其中，所述金属氧化物层设置在所述第一金属层和所述第二金属层之间，所述第二金属层或所述金属氧化物层中掺杂有氢元素，所述第二金属层的吸收氢的能力大于所述第一金属层的吸收氢的能力；

所述氢元素能够在所述第二金属层和所述金属氧化物层中往复移动；

当所述氢元素自所述第二金属层移动至所述金属氧化物层中时，所述金属氧化物层处于第一状态；当所述氢元素脱离所述金属氧化物层时，所述金属氧化物层处于第二状态；处于第二状态的所述金属氧化物层的电阻大于处于第一状态的所述金属氧化物层的电阻。

2.如权利要求1所述的忆阻器件，其特征在于，所述金属氧化物层包覆所述第一金属层，所述第二金属层在所述金属氧化物层上的投影落在所述金属氧化物层以内。

3.如权利要求1所述的忆阻器件，其特征在于，所述金属氧化物层包覆所述第二金属层，所述第一金属层在所述金属氧化物层上的投影落在所述金属氧化物层以内。

4.如权利要求1至3任一项所述的忆阻器件，其特征在于，所述第一金属层为钼、铌、铜镍合金、铜中的任一种。

5.如权利要求1至3任一项所述的忆阻器件，其特征在于，所述第二金属层包括钛合金，所述钛合金包括第二金属及钛金属，所述第二金属能够吸收所述氢元素。

6.如权利要求5所述的忆阻器件，其特征在于，所述第二金属为钼、铌、铁、镍、铜、铜镍合金中的任一种。

7.如权利要求1至3任一项所述的忆阻器件，其特征在于，所述金属氧化物层为金属氧化物半导体材料。

8.如权利要求7所述的忆阻器件，其特征在于，所述金属氧化物层的材料为氧化铟锌、氧化铟镓、氧化镓锌、氧化铟镓锌、氧化铟镓锡、氧化铟镓锌锡、氧化镓、氧化锡、氧化铪中的任一种。

9.一种忆阻器件制作方法，其特征在于，包括：

步骤S100，提供一衬底基板；

步骤S200，在所述衬底基板上形成第一金属层，所述第一金属层具有第一图案；

步骤S300，在所述第一金属层上形成金属氧化物层，所述金属氧化物层具有第二图案；

步骤S400，在所述金属氧化物层上形成第二金属层，所述第二金属层具有第三图案；所述第二金属层的吸收氢的能力大于所述第一金属层的吸收氢的能力；

其中，在所述步骤S300中，形成所述金属氧化物层时还包括通过等离子处理在所述金属氧化物层中掺杂氢元素；或在所述步骤S400中，形成所述第二金属层时还包括通过等离子处理在所述第二金属层中掺杂氢元素。

10.一种显示面板，其特征在于，包括驱动电路，所述驱动电路包括薄膜晶体管和如权利要求1至8任一项所述的忆阻器件。