[发明专利]忆阻器件、忆阻器件制作方法及显示面板

说明书

本申请实施例公开了一种忆阻器件、忆阻器件制作方法及显示面板。忆阻器件包括：第一金属层；金属氧化物层；第二金属层；其中，金属氧化物层设置在第一金属层和第二金属层之间，第二金属层或金属氧化物层中掺杂有氢元素，第二金属层的吸收氢的能力大于第一金属层的吸收氢的能力；氢元素能够在第二金属层和金属氧化物层中往复移动；当氢元素自第二金属层移动至金属氧化物层中时，金属氧化物层处于第一状态；当氢元素脱离金属氧化物层时，金属氧化物层处于第二状态；处于第二状态的金属氧化物层的电阻大于处于第一状态的金属氧化物层的电阻。本申请实施例中的忆阻器件可以提高忆阻器件的读取速度以及器件准确性。

技术领域

本申请涉及显示领域，具体涉及一种忆阻器件、忆阻器件制作方法及显示面板。

背景技术

随着存储器在低能耗、高集成度、高读取速度方面的发展，以及神经网络等新型应用对信息存储及运算架构的需求，非易失性存储器中的忆阻器(memristor)，由于其低能耗、高读取速度，因此被看作未来存储器发展的方向。新兴的非易失性存储器包括PRAM、MRAM、ReRAM(变阻式存储器，核心为memristor)等均有较多开发，而ReRAM被认为具有极大潜在应用价值。对于高性能忆阻器(memristor)，亦可能在显示行业的新型显示架构中应用。但目前所开发的忆阻器的可靠性较差，循环持久性(cycling endurance)及数据维持(data retention)有待提高。传统的忆阻器(memristor)较多采用改变高阻层中的氧空位Vox，或金属离子(如Ag)移动，改变高阻层的电阻值，但由于这些氧空位Vox、金属离子的半径较大(100pm级别)，在电场作用下迁移较慢，影响忆阻器的读取速度提高以及器件准确性。

发明内容

本申请实施例提供了一种忆阻器件、忆阻器件制作方法及显示面板，一种忆阻器件包括：第一金属层；金属氧化物层；第二金属层；其中，所述金属氧化物层设置在所述第一金属层和所述第二金属层之间，所述第二金属层或所述金属氧化物层中掺杂有氢元素，所述第二金属层的吸收氢的能力大于所述第一金属层的吸收氢的能力；所述氢元素能够在所述第二金属层和所述金属氧化物层中往复移动；当所述氢元素自所述第二金属层移动至所述金属氧化物层中时，所述金属氧化物层处于第一状态；当所述氢元素脱离所述金属氧化物层时，所述金属氧化物层处于第二状态；处于第二状态的所述金属氧化物层的电阻大于处于第一状态的所述金属氧化物层的电阻。本申请实施例的忆阻器件可以解决当前忆阻器迁移较慢、忆阻器的读取速度低的问题。

本申请实施例提供了一种忆阻器件，包括：

第一金属层；

金属氧化物层；

第二金属层；

其中，所述金属氧化物层设置在所述第一金属层和所述第二金属层之间，所述第二金属层或所述金属氧化物层中掺杂有氢元素，所述第二金属层的吸收氢的能力大于所述第一金属层的吸收氢的能力；

所述氢元素能够在所述第二金属层和所述金属氧化物层中往复移动；

当所述氢元素自所述第二金属层移动至所述金属氧化物层中时，所述金属氧化物层处于第一状态；当所述氢元素脱离所述金属氧化物层时，所述金属氧化物层处于第二状态；处于第二状态的所述金属氧化物层的电阻大于处于第一状态的所述金属氧化物层的电阻。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述金属氧化物层包覆所述第一金属层，所述第二金属层在所述金属氧化物层上的投影落在所述金属氧化物层以内。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述金属氧化物层包覆所述第二金属层，所述第一金属层在所述金属氧化物层上的投影落在所述金属氧化物层以内。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一金属层为钼、铌、铜镍合金、铜中的任一种。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二金属层包括钛合金，所述钛合金包括第二金属及钛金属，所述第二金属能够吸收所述氢元素。