[发明专利]铜互连结构的清洗方法

权利要求书

1.一种铜互连结构的清洗方法，其特征在于，所述铜互连结构的清洗方法包括以下步骤：

获取对铜互连结构进行CMP操作后的晶片；

使得所述铜互连结构的表面浸润有用于溶解铜氧化物的有机溶液，位于所述铜互连结构表面的铜氧化物通过与所述有机溶液反应被消融。

2.如权利要求1所述的铜互连结构的清洗方法，其特征在于，所述使得所述铜互连结构的表面浸润有用于溶解铜氧化物的有机溶液，位于所述铜互连结构表面的铜氧化物通过与所述有机溶液反应被消融的步骤，包括：

向所述铜互连结构的表面喷淋用于溶解铜氧化物的有机溶液5秒至10秒的时间；

使得所述有机溶液与附着在所述铜互连结构表面的铜氧化物反应；所述有机溶液包裹被分解后的所述铜氧化物。

3.如权利要求1或2所述的铜互连结构的清洗方法，其特征在于，所述有机溶剂包括正甲基吡咯酮和去离子水的混合液。

4.如权利要求3所述的铜互连结构的清洗方法，其特征在于，所述正甲基吡咯酮和去离子水的混合液浓度为10％至12％。

5.如权利要求1所述的铜互连结构的清洗方法，其特征在于，在所述使得所述铜互连结构的表面浸润有用于溶解铜氧化物的有机溶液，位于所述铜互连结构表面的铜氧化物通过与所述有机溶液反应被消融的步骤完成过后，还进行：

向所述铜互连结构的表面喷淋去离子水，使得所述去离子水，洗去剩余的有机溶液，和所述有机溶液与所述铜氧化物的反应产物。

6.如权利要求5所述的铜互连结构的清洗方法，其特征在于，在所述向所述铜互连结构的表面喷淋去离子水，使得所述去离子水，洗去剩余的有机溶液，和所述有机溶液与所述铜氧化物的反应产物的步骤完成后，还进行：

向所述铜互连结构的表面喷淋用于洗去研磨副产物的清洗液，使得清洗液的流动去除残留在所述铜互连结构表面的研磨副产物。

7.如权利要求6所述的铜互连结构的清洗方法，其特征在于，所述清洗液包括酸性液体。

8.如权利要求6所述的铜互连结构的清洗方法，其特征在于，在所述向所述铜互连结构的表面喷淋用于洗去研磨副产物的清洗液，使得清洗液的流动去除残留在所述铜互连结构表面的研磨副产物的步骤完成后，还进行：

向所述铜互连结构的表面喷淋去离子水，使得所述去离子水，洗去残留的所述清洗液。