[发明专利]铜互连结构的清洗方法

说明书

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种铜互连结构的清洗方法。该铜互连结构的清洗方法包括以下步骤：获取对铜互连结构进行CMP操作后的晶片；使得所述铜互连结构的表面浸润有用于溶解铜氧化物的有机溶液，位于所述铜互连结构表面的铜氧化物通过与所述有机溶液反应被消融。本申请提供的一种铜互连结构的清洗方法，可以解决相关技术中的清洗方法难以去除附着在铜结构表面的氧化铜的问题。

技术领域

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种铜互连结构的清洗方法。

背景技术

在半导体制造的后段工艺中，需要在器件上制作互连层，以实现器件管脚的引出与器件间的互连。通常在制作完一层铜互连层后，会采用CMP工艺(Chemical MechanicalPolishing，CMP)对该互连层的表面进行研磨，以使得后续互连层能可靠贴合连接。

相关技术在对铜互连层表面进行CMP工艺后，会将晶片置于清洗单元，通过清洗液配合清洗刷以洗去研磨副产物，通常该清洗液包括柠檬酸和去离子水。

但是由于铜互连层中的铜化学性质活泼，即使在中性环境中也容易被氧化产生氧化铜。所产生的氧化铜附着在铜结构的表面对铜互连结构的导电型产生不利影响，而相关技术中的清洗方法难以区域附着在铜结构表面的氧化铜。

发明内容

本申请提供了一种铜互连结构的清洗方法，可以解决相关技术中的清洗方法难以去除附着在铜结构表面的氧化铜的问题。

本申请提供一种铜互连结构的清洗方法，所述铜互连结构的清洗方法包括以下步骤：

获取对铜互连结构进行CMP操作后的晶片；

使得所述铜互连结构的表面浸润有用于溶解铜氧化物的有机溶液，位于所述铜互连结构表面的铜氧化物通过与所述有机溶液反应被消融。

可选地，所述使得所述铜互连结构的表面浸润有用于溶解铜氧化物的有机溶液，位于所述铜互连结构表面的铜氧化物通过与所述有机溶液反应被消融的步骤，包括：

向所述铜互连结构的表面喷淋用于溶解铜氧化物的有机溶液5秒至10秒的时间；

使得所述有机溶液与附着在所述铜互连结构表面的铜氧化物反应；所述有机溶液包裹被分解后的所述铜氧化物。

可选地，所述有机溶剂包括正甲基吡咯酮和去离子水的混合液。

可选地，所述正甲基吡咯酮和去离子水的混合液浓度为10％至12％。

可选地，在所述使得所述铜互连结构的表面浸润有用于溶解铜氧化物的有机溶液，位于所述铜互连结构表面的铜氧化物通过与所述有机溶液反应被消融的步骤完成过后，还进行：

向所述铜互连结构的表面喷淋去离子水，使得所述去离子水，洗去剩余的有机溶液，和所述有机溶液与所述铜氧化物的反应产物。

可选地，在所述向所述铜互连结构的表面喷淋去离子水，使得所述去离子水，洗去剩余的有机溶液，和所述有机溶液与所述铜氧化物的反应产物的步骤完成后，还进行：

向所述铜互连结构的表面喷淋用于洗去研磨副产物的清洗液，使得清洗液的流动去除残留在所述铜互连结构表面的研磨副产物。

可选地，所述清洗液包括酸性液体。

可选地，在所述向所述铜互连结构的表面喷淋用于洗去研磨副产物的清洗液，使得清洗液的流动去除残留在所述铜互连结构表面的研磨副产物的步骤完成后，还进行：

向所述铜互连结构的表面喷淋去离子水，使得所述去离子水，洗去残留的所述清洗液。