[发明专利]一种硅基Micro OLED微显示器件像素定义层制备方法

权利要求书

1.一种硅基Micro OLED微显示器件像素定义层制备方法，其特征在于：所述的硅基Micro OLED微显示器件像素定义层制备方法的步骤为：

S1.对完成阳极工艺的硅片(1)进行清洗、烘烤作业；

S2.对完成清洗、烘烤作业的硅片(1)进行像素定义层(2)成膜作业；

S3.对完成像素定义层(2)成膜的硅片(1)进行光刻作业；

S4.对完成光刻作业的硅片(1)进行退光阻及干法刻蚀作业，作业时，首先进行像素定义层(2)主刻蚀作业，主刻蚀气体选择CHF3及N2，流量选择15sccm-20sccm，source power选择30W-35W，Bias选择5W-10W，刻蚀时间选择15s-20s，在完成首次主刻蚀后，进行退光阻作业，退光阻气体选择O2,流量8sccm-10sccm，source power选择20W-30W，Bias选择0W，退光阻时间选择5s-7s，以上工序完成一次退光阻及主刻蚀作业，重复上述过程多次，最后一次退光阻取消；

S5.对完成干法刻蚀的硅片(1)进行去胶作业，得到目标结构。

2.根据权利要求1所述的硅基Micro OLED微显示器件像素定义层制备方法，其特征在于：进行清洗、烘烤作业时，对完成阳极工艺的硅片(1)进行清洗，采用纯水清洗，冲洗时间选择80s-100s，清洗时硅片(1)转速选择150rpm-200rpm；烘烤温度选择80℃-100℃，烘烤时间选择60s-90s。

3.根据权利要求1所述的硅基Micro OLED微显示器件像素定义层制备方法，其特征在于：进行像素定义层(2)成膜作业时，像素定义层(2)采用PECVD方式成膜，成膜温度控制在200℃-300℃，成膜厚度控制在100nm-150nm。

4.根据权利要求1所述的硅基Micro OLED微显示器件像素定义层制备方法，其特征在于：进行光刻作业时，涂布作业，光刻胶选用DUV类型，膜厚选择0.8um-1um，均匀性＜2％。

5.根据权利要求1所述的硅基Micro OLED微显示器件像素定义层制备方法，其特征在于：进行光刻作业时，曝光作业，曝光量选择30mJ/cm2-50mJ/cm2。

6.根据权利要求1所述的硅基Micro OLED微显示器件像素定义层制备方法，其特征在于：进行光刻作业时，显影作业，显影液选用TMA，显影温度22℃-25℃，显影时间60s-70s，固化温度选择140℃-160℃，固化时间选择70s-120s。

7.根据权利要求1所述的硅基Micro OLED微显示器件像素定义层制备方法，其特征在于：进行去胶作业时，去胶液选用NMP，去胶时间选择180s-200s。

8.根据权利要求1所述的硅基Micro OLED微显示器件像素定义层制备方法，其特征在于：硅基Micro OLED微显示器件像素定义层制备方法进行制备后，阳极上方的像素定义层(2)为多级阶梯状。

9.根据权利要求1所述的硅基Micro OLED微显示器件像素定义层制备方法，其特征在于：S4步骤的重复次数是5次-15次。