[发明专利]一种硅基Micro OLED微显示器件像素定义层制备方法

说明书

本发明提供一种应用于Micro OLED技术领域的硅基Micro OLED微显示器件像素定义层制备方法的步骤为：对完成阳极工艺的硅片(1)进行清洗、烘烤作业；对完成清洗、烘烤作业的硅片(1)进行像素定义层(2)成膜作业；对完成像素定义层(2)成膜的硅片(1)进行光刻作业；对完成光刻作业的硅片(1)进行退光阻及干法刻蚀作业，作业时，首先进行像素定义层(2)主刻蚀作业；对完成干法刻蚀的硅片(1)进行去胶作业，得到目标结构，本发明所述的硅基M i cro OLED微显示器件像素定义层制备方法，刻蚀过程中在主刻蚀前通过前通氧气的方式控制光刻胶后退，后刻蚀作业，循环此过程，最终形成阶梯状形貌，利于阴极爬坡，避免阴极在此处断裂，改善像素暗点异常。

技术领域

本发明属于Micro OLED技术领域，更具体地说，是涉及一种硅基Micro OLED微显示器件像素定义层制备方法。

背景技术

硅基微显，作为最适用于近眼显示行业的微显示技术，被称为下一代微显示技术，被越来越多的人所关注，其技术更迭较快。在制备硅基micro OLED微显示器件时，为定义像素，改善串扰，需要在硅片完成阳极工艺后，制备像素定义层。像素定义层如采用无机材料，当前工艺下，制备后的角度过大，易造成阴极的断裂。像素定义层如采用SiO及SiN，因追求高分辨率，受光刻及干法刻蚀工艺制约，其阳极上方PDL角度无法做小，导致后续阴极在此位置出现断裂异常。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：针对现有技术的不足，提供一种步骤简单，通过退光阻工艺，刻蚀过程中在主刻蚀前通过前通氧气的方式控制光刻胶后退，后刻蚀作业，循环此过程，最终形成阶梯状形貌，利于阴极爬坡，避免阴极在此处断裂，改善像素暗点异常，提高产品整体性能的硅基Micro OLED微显示器件像素定义层制备方法。

要解决以上所述的技术问题，本发明采取的技术方案为：

本发明为一种硅基Micro OLED微显示器件像素定义层制备方法，所述的硅基Micro OLED微显示器件像素定义层制备方法的步骤为：

S1.对完成阳极工艺的硅片1进行清洗、烘烤作业；

S2.对完成清洗、烘烤作业的硅片1进行像素定义层2成膜作业；

S3.对完成像素定义层2成膜的硅片1进行光刻作业；

S4.对完成光刻作业的硅片1进行退光阻及干法刻蚀作业，作业时，首先进行像素定义层2主刻蚀作业，主刻蚀气体选择CHF3及N2，流量选择15sccm-20sccm，source power选择30W-35W，Bias选择5W-10W，刻蚀时间选择15s-20s，在完成首次主刻蚀后，进行退光阻作业，退光阻气体选择O2,流量8sccm-10sccm，source power选择20W-30W，Bias选择0W，退光阻时间选择5s-7s，以上工序完成一次退光阻及主刻蚀作业，重复上述过程多次，最后一次退光阻取消；

S5.对完成干法刻蚀的硅片1进行去胶作业，得到目标结构。

进行清洗、烘烤作业时，对完成阳极工艺的硅片1进行清洗，采用纯水清洗，冲洗时间选择80s-100s，清洗时硅片1转速选择150rpm-200rpm；烘烤温度选择80℃-100℃，烘烤时间选择60s-90s。

进行像素定义层2成膜作业时，像素定义层2采用PECVD方式成膜，成膜温度控制在200℃-300℃，成膜厚度控制在100nm-150nm。

进行光刻作业时，涂布作业，光刻胶选用DUV类型，膜厚选择0.8um-1um，均匀性＜2％。

进行光刻作业时，曝光作业，曝光量选择30mJ/cm2-50mJ/cm2；

进行光刻作业时，显影作业，显影液选用TMA，显影温度22℃-25℃，显影时间60s-70s，固化温度选择140℃-160℃，固化时间选择70s-120s。