[发明专利]一种LED显示器件在审
申请号: | 202110719182.8 | 申请日: | 2021-06-28 |
公开(公告)号: | CN115881867A | 公开(公告)日: | 2023-03-31 |
发明(设计)人: | 黄守媛 | 申请(专利权)人: | 蒋振宇 |
主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14;H01L27/15 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 黎坚怡 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 led 显示 器件 | ||
本申请公开了一种LED显示器件,属于显示技术领域。本申请公开的LED显示器件正常工作时,靠近设置有像素电极的第一电极层的第一电流扩散层中,横向电流扩散长度小于或等于相邻像素电极边缘之间最短间距的一半,使得每个像素电极对应的像素点的工作电流不会扩散至相邻像素点。也就是说,每个像素点的有源层可被独立控制发光,从而在大尺寸LED芯片上通过调节横向电流扩散长度实现各像素点的自隔离,无需通过刻蚀实现各像素点之间的隔离,能够避免因刻蚀损伤带来的消极影响,从而提高LED显示器件的可靠性和良率,降低漏电几率。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,特别是涉及一种LED显示器件。
背景技术
Micro-LED技术是将传统的LED微缩化和矩阵化的技术,先将传统的大尺寸LED芯片微缩化至微米量级的Micro-LED芯片,再将其矩阵化为高密度集成的LED阵列,使得应用了Micro-LED技术的显示屏中每个像素点均可以被独立地定位、点亮,从而实现对每个Micro-LED芯片的精确控制,进而实现显示功能。现有技术中为了获得Micro-LED芯片,通常要采用刻蚀工艺控制芯片尺寸,因此带来了刻蚀损伤,引起漏电、可靠性下降、以及良率下降等问题。而且,随着Micro-LED芯片尺寸的缩小,刻蚀形成的芯片侧面占芯片总表面积的比例也不断增大,刻蚀损伤带来的消极影响也不断增大。
发明内容
本申请主要解决的技术问题是提供一种LED显示器件,能够提高LED显示器件的可靠性和良率,降低漏电几率。
为解决上述技术问题,本申请采用的一个技术方案是:提供一种LED显示器件,所述LED显示器件包括发光外延片,所述发光外延片包括:
有源层;
第一电流扩散层和第二电流扩散层,分别设置于所述有源层的相对两侧;
第一电极层和第二电极层,所述第一电极层设置于所述第一电流扩散层背离所述有源层的一侧,所述第二电极层设置于所述第二电流扩散层背离所述有源层的一侧,所述第一电极层包括以阵列方式排布的多个像素电极;
其中,所述第一电流扩散层的厚度和电阻率设置成使得:在所述LED显示器件正常工作时,所述第一电流扩散层的横向电流扩散长度满足其中Ls为所述第一电流扩散层的横向电流扩散长度,D1为相邻设置的所述像素电极的边缘之间的最短间距。
其中,所述第一电流扩散层的横向电流扩散长度Ls通过以下公式计算:
其中,k为玻尔兹曼常数,T为热力学温度,e为电子电量,t为所述第一电流扩散层的厚度,ρ为所述第一电流扩散层的电阻率,J0为在所述LED显示器件正常工作时所述像素电极所覆盖的第一电流扩散层内的电流密度。
其中,所述第一电流扩散层的电阻率大于或等于0.1Ω·cm。
其中,所述第一电流扩散层的厚度小于或等于1μm。
其中,所述第一电流扩散层的电阻率大于或等于0.5Ω·cm,所述第一电流扩散层的厚度小于或等于0.5μm。
其中,所述第一电流扩散层的电阻率大于或等于1Ω·cm,所述第一电流扩散层的厚度小于或等于0.1μm。
其中,
其中,D1≤20μm。
其中,其中D2为相邻设置的所述像素电极的几何中心之间的间距。
其中,所述LED显示器件进一步包括驱动背板,所述驱动背板包括背板主体以及以阵列方式排布于所述背板主体上的多个开关器件,其中,每个所述像素电极电连接至对应的所述开关器件,以由所连接的所述开关器件提供驱动信号。
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