[发明专利]一种多内存芯片的产品信息辨别方法及装置有效
申请号: | 202110720314.9 | 申请日: | 2021-06-28 |
公开(公告)号: | CN113436668B | 公开(公告)日: | 2023-05-16 |
发明(设计)人: | 谢登煌;宋文杰;刘孜 | 申请(专利权)人: | 深圳市晶存科技有限公司 |
主分类号: | G11C29/08 | 分类号: | G11C29/08;G11C29/50 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 张志辉 |
地址: | 518048 广东省深圳市福田区福*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 内存 芯片 产品信息 辨别 方法 装置 | ||
本发明涉及一种多内存芯片的产品信息辨别方法,包括以下步骤:初始化动态随机存储器芯片(S101);获取DRAM控制器的扫描结果(S102);读取JEDEC读取寄存器的数据(S103);根据DRAM控制器的扫描结果、JEDEC寄存器的读取数据,计算总芯片容量信息(S104);根据不同的角色和不同使用场景,将测量得到的动态随机存储器芯片相关数据以不同方式呈现出来(S105)。还涉及一种多内存芯片的产品信息辨别装置,包括:用户选择模块、读取模块、计算模块、对比模块、显示模块。本发明可准确的测量动态随机存储器中相关信息,根据不同的角色和不同使用场景,将上述信息以不同方式呈现出来,满足用户生产生活的需求。
技术领域
本发明涉及存储器测试领域,尤其涉及一种多内存芯片的产品信息辨别方法及装置。
背景技术
目前上市的5G手机处理能力越来越强,可以看到,每当移动设备处理速度加快时,设备制造商便开始寻求更低功耗动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)。随着移动设备对DRAM功耗的要求越来越高,市面上衍生出一些低功耗DRAM(LowPower Double Data Rate SDRAM,LPDDR)。其中LPDDR4/5是目前比较热门的LPDDR产品,运行速度大于4266MT/S,远远超过传统的DDR内存,此外,在功耗方面具无可比拟的优势。一个合格的动态随机存储器产品对于移动设备的使用影响巨大,因此,准确获得动态随机存储器内部芯片的厂家,Die的版本信息、Die数量、数据位宽从而判断封装的wafer型号、封装的die的版本是否正确、准确计算动态随机存储器,例如LPDDR4/5的内存容量从而判断芯片是否跟规格书上描述的信息是否一致是目前急需解决的问题,此外,对于产品使用方,更关心芯片的总容量以及当前剩余容量,以来管理存储数据。
发明内容
本发明提供一种多内存芯片的产品信息辨别方法及装置,旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。
本发明的技术方案的第一方面为一种多内存芯片的产品信息辨别方法,所述方法包括以下步骤:初始化动态随机存储器芯片;获取DRAM控制器的扫描结果;读取JEDEC读取寄存器的数据;根据DRAM控制器的扫描结果、JEDEC寄存器的读取数据,计算总芯片容量信息;根据不同的角色和不同使用场景,将测量得到的动态随机存储器芯片相关数据以不同方式呈现出来。
在一些实施例中,所述的一种多内存芯片的产品信息辨别方法,其中,计算总芯片容量信息的公式为:
其中,若晶粒的位宽为16bit,则BW=2;若晶粒的位宽为8bit,则BW=1;M为一个通道中排列的总数;为第个排列的容量大小;N为存储器芯片的通道总数。
在一些实施例中,所述的一种多内存芯片的产品信息辨别方法,其中,获取DRAM控制器的扫描结果具体包括:DRAM控制器扫描存储器芯片的通道数;DRAM控制器扫描存储器芯片得到排列的数量。
在一些实施例中,所述的一种多内存芯片的产品信息辨别方法,其中,根据不同的角色和不同使用场景,将测量得到的动态随机存储器芯片相关数据以不同方式呈现出来,包括,将测量得到的动态随机存储器芯片相关数据与动态随机产品说明书上的数据进行对比,在厂家生产存储器芯片时,根据对比信息,直接定位故障点。
在一些实施例中,所述的一种多内存芯片的产品信息辨别方法,其中,根据不同的角色和不同使用场景,将测量得到的动态随机存储器芯片相关数据以不同方式呈现出来,包括,根据测量得到的动态随机存储器芯片相关数据,计算总容量,剩余容量,显示存储芯片的质量和/或容量信息。
在一些实施例中,所述的一种多内存芯片的产品信息辨别方法,其中,根据不同的角色和不同使用场景,将测量得到的动态随机存储器芯片相关数据以不同方式呈现出来,包括,根据测量得到的动态随机存储器芯片相关数据,生成存储器芯片各类信息的明细表。
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