[发明专利]一种减小FinFET器件寄生电容的空气侧墙制作方法

权利要求书

1.一种减小FinFET器件寄生电容的空气侧墙制作方法，其特征在于，至少包括：

步骤一、提供MOS结构，所述MOS结构至少包括：基底；位于所述基底上的源区外延区和漏区外延区；位于所述源区外延区和漏区外延区之间的栅极结构；所述栅极结构至少包括：栅氧层和位于所述栅氧层上的多晶硅伪栅结构、依附于所述多晶硅伪栅结构侧壁的内侧墙、依附于所述内侧墙并覆盖所述多晶硅伪栅结构顶部的SiN侧墙；

所述栅极结构的所述SiN侧墙的侧壁形成有外侧墙；所述基底上形成有覆盖所述栅极结构的层间介质层；

步骤二、对所述层间介质层进行研磨，使得所述多晶硅伪栅结构的顶部暴露；

步骤三、去除所述SiN侧墙，在所述多晶硅伪栅结构的内侧墙和所述外侧墙之间形成空隙；

步骤四、在所述空隙的上端口形成封闭所述空隙的栓塞，所述内侧墙和所述外侧墙之间被封闭的所述空隙形成空气侧墙；

步骤五、去除所述多晶硅伪栅结构和所述栅氧层，在去除后的位置形成凹槽；

步骤六、在所述凹槽的底部和侧壁形成界面层；之后在所述凹槽内形成功函数层；

步骤七、在所述凹槽中填充金属，之后对所述MOS结构进行表面平坦化，形成金属栅；

步骤八、对所述金属栅进行回刻，之后在回刻的区域形成氮化硅栓塞；

步骤九、在所述栅极结构和所述源区外延区、漏区外延区上形成金属接触线。

2.根据权利要求1所述的用于减少寄生电容的FinFET的空气侧墙制作方法，其特征在于：步骤一中的所述内侧墙为低K介质层。

3.根据权利要求1所述的用于减少寄生电容的FinFET的空气侧墙制作方法，其特征在于：步骤一中的所述外侧墙为低K介质层。

4.根据权利要求1所述的用于减少寄生电容的FinFET的空气侧墙制作方法，其特征在于：步骤一中的所述内侧墙的介电常数值约为5。

5.根据权利要求1所述的用于减少寄生电容的FinFET的空气侧墙制作方法，其特征在于：步骤一中的所述外侧墙的介电常数值约为5。

6.根据权利要求1所述的用于减少寄生电容的FinFET的空气侧墙制作方法，其特征在于：步骤一中的所述SiN侧墙的厚度为2～8nm。

7.根据权利要求1所述的用于减少寄生电容的FinFET的空气侧墙制作方法，其特征在于：步骤一中的所述外侧墙延伸至所述源区外延区和所述漏区外延区的上表面。

8.根据权利要求1所述的用于减少寄生电容的FinFET的空气侧墙制作方法，其特征在于：步骤二中研磨所述栅极结构上表面的方法为化学机械研磨法。

9.根据权利要求1所述的用于减少寄生电容的FinFET的空气侧墙制作方法，其特征在于：步骤四中的所述栓塞为氮化硅或氧化硅中的一种。

10.根据权利要求1所述的减小FinFET器件寄生电容的空气侧墙制作方法，其特征在于：步骤六中的所述界面层延伸至所述层间介质层的上方。

11.根据权利要求1所述的减小FinFET器件寄生电容的空气侧墙制作方法，其特征在于：步骤六中的所述功函数层为HfO2层。