[发明专利]三维存储器

权利要求书

1.一种三维存储器，所述三维存储器包括键合至彼此的外围晶圆和阵列晶圆，所述外围晶圆包括用于所述阵列晶圆的外围电路，所述阵列晶圆包括：

待测试结构，包括第一测试端和第二测试端；

第一测试互连结构和第二测试互连结构，对称地设置在所述待测试结构的两侧,并且分别连接至所述第一测试端和所述第二测试端；

第一管脚连接结构和第二管脚连接结构，对称地设置在所述待测试结构的两侧,并且分别经由所述第一测试互连结构和所述第二测试互连结构连接至所述待测试结构的所述第一测试端和所述第二测试端。

2.根据权利要求1所述的三维存储器，其中，所述待测试结构是包括一个或多个三维存储串的三维存储阵列，并且所述第一测试端和所述第二测试端分别包括所述三维存储串中待测试字线的两端。

3.根据权利要求2所述的三维存储器，其中：

所述第一管脚连接结构包括：

第一阱区，以及

第一阱触点，设置在所述第一阱区上，并且将所述第一阱区连接至所述第一测试互连结构；以及

所述第二管脚连接结构包括：

第二阱区，以及

第二阱触点，设置在所述第二阱区上，并且将所述第二阱区连接至所述第二测试互连结构。

4.根据权利要求3所述的三维存储器，其中：

所述第一测试互连结构设置在所述第一管脚连接结构的靠近所述外围晶圆的一侧，并且包括：

第一阵列晶圆导体层，经由第一阵列晶圆连接块连接至所述第一阱触点，以及

第一阵列晶圆接触部，设置在所述第一阵列晶圆导体层的靠近所述外围晶圆的一侧，经由第一阵列晶圆接触块连接至所述第一阵列晶圆导体层；以及

所述第二测试互连结构设置在所述第二管脚连接结构的靠近所述外围晶圆的一侧，并且包括：

第二阵列晶圆导体层，经由第二阵列晶圆连接块连接至所述第二阱触点，以及

第二阵列晶圆接触部，设置在所述第二阵列晶圆导体层的靠近所述外围晶圆的一侧，经由第二阵列晶圆接触块连接至所述第二阵列晶圆导体层。

5.根据权利要求4所述的三维存储器，其中：

所述第一阵列晶圆导体层经由第三阵列晶圆连接块连接至所述第一测试端，从而将所述第一阱触点连接至所述第一测试端中所述待测试字线的一端，以及

所述第二阵列晶圆导体层经由第四阵列晶圆连接块连接至所述第二测试端，从而将所述第二阱触点连接至所述第二测试端中所述待测试字线的另一端。

6.根据权利要求4所述的三维存储器，其中：

所述第一测试互连结构还包括一个或多个第一阵列晶圆子连接块以及一个或多个第一阵列晶圆子导体层，其交替地依次设置在所述第一阵列晶圆导体层与所述第一阵列晶圆接触块之间，以及

所述第二测试互连结构还包括一个或多个第二阵列晶圆子连接块以及一个或多个第二阵列晶圆子导体层，其交替地依次设置在所述第二阵列晶圆导体层与所述第二阵列晶圆接触块之间。

7.根据权利要求6所述的三维存储器，其中：

所述一个或多个第一阵列晶圆子导体层中的一个经由第一阵列晶圆连接部连接至所述第一测试端，从而将所述第一阱触点连接至所述第一测试端中所述待测试字线的一端，

所述一个或多个第二阵列晶圆子导体层中的一个经由第二阵列晶圆连接部连接至所述第二测试端，从而将所述第二阱触点连接至所述第二测试端中所述待测试字线的另一端，以及

所述一个或多个第一阵列晶圆子导体层中的连接至所述第一测试端的第一阵列晶圆子导体层与所述一个或多个第二阵列晶圆子导体层中的连接至所述第二测试端的第二阵列晶圆子导体层在同一工艺中形成。