[发明专利]晶圆片清洗装置及包括其的晶圆电镀系统

说明书

本发明公开了一种晶圆片清洗装置及包括其的晶圆电镀系统，晶圆片清洗装置包括输液部、盛液盘和第一驱动部，输液部能够容纳用于清洗晶圆片的液体，输液部的输液口对准晶圆片的表面，输液部内的液体能够从输液口流向晶圆片；盛液盘环绕设置在晶圆片的边缘侧；第一驱动部与水平设置的晶圆片连接，并能够驱动晶圆片沿轴线旋转。本发明通过晶圆片的旋转使得清洗过晶圆片的废水能够甩入盛液盘内，从而能够一直通过最纯净的液体对晶圆片进行清洗，不会让晶圆片长时间处于混合有电镀液的液体中，并有效防止清洗过晶圆片的废水的二次利用，提高晶圆片的清洗效果。

技术领域

本发明涉及半导体加工领域，特别涉及一种晶圆片清洗装置及包括其的晶圆电镀系统。

背景技术

在进行晶圆电镀工艺的过程中，为保证电镀质量，需要将整个晶圆片浸泡在电镀槽中的电镀液内。电镀完成后，晶圆片的表面会存在大量的电镀液，需要用清水对晶圆片的表面进行清洗，将晶圆片表面附着的电镀液完全清洗干净，保证不影响晶圆片后续的使用。

现有技术中，一种清洗晶圆片表面附着的电镀液的方法是将附着有电镀液的晶圆片浸泡在容纳有干净的清水的清洗槽中进行清洗，清洗完晶圆片的清水中会与原本附着在晶圆片上的电镀液混合，清水的纯净度变差。实际操作中，清洗完一个晶圆片的清水会为下一个晶圆片继续清洗，而不会直接废弃，从而导致清洗后续晶圆片的清水的纯净度变低，清洗效果变差，而且清洗次数越多，清洗效果越差。此外，在采用上述的清洗方式之前还需要进行晶圆片的转运操作，将晶圆片从靠近电镀槽的位置转运至清洗槽内，整个过程较为复杂。

发明内容

本发明要解决的技术问题是为了克服现有技术中晶圆片的清洗效果较差的缺陷，提供一种晶圆片清洗装置及包括其的晶圆电镀系统。

本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题：

一种晶圆片清洗装置，所述晶圆片清洗装置包括：

输液部，能够容纳用于清洗晶圆片的液体，所述输液部的输液口对准所述晶圆片的表面，所述输液部内的液体能够从所述输液口流向所述晶圆片；

盛液盘，环绕设置在所述晶圆片的边缘侧；

第一驱动部，与水平设置的所述晶圆片连接，并能够驱动所述晶圆片沿轴线旋转。

在本方案中，输液部用于提供干净的液体，对晶圆片表面附着的电镀液进行清洗。盛液盘用于容纳清洗过晶圆片的废液，防止废液的二次利用，保证清洗晶圆片的液体的纯净度，提高清洗效果。第一驱动部用于驱动晶圆片旋转，使得晶圆片上原本附着的电镀液和清洗过晶圆片的废液都能够在晶圆片的旋转下甩入盛液盘内，有利于废液的收集，同时防止废液对其他部件的污染。盛液盘环绕晶圆片设置能够保证晶圆片的周向各处都尽可能都设置有盛液盘，以保证晶圆片在旋转过程中所甩出的液体都能够甩入盛液盘内。本方案通过晶圆片的旋转使得清洗过晶圆片的废水能够甩入盛液盘内，从而能够一直通过最纯净的液体对晶圆片进行清洗，不会让晶圆片长时间处于混合有电镀液的液体中，并有效防止清洗过晶圆片的废水的二次利用，提高晶圆片的清洗效果。

较佳地，所述盛液盘至少位于所述晶圆片的下方。

在本方案中，从晶圆片上甩出的废液受重力影响会向下坠落，上述设置用于保证盛液盘能够收集所有从晶圆片上甩出的废液，提高晶圆片清洗清洗装置的可行性。

较佳地，所述盛液盘的上端面向下凹陷形成位于所述盛液盘径向内侧的第一遮挡部、位于所述盛液盘径向外侧的第二遮挡部，以及位于所述第一遮挡部和所述第二遮挡部之间的盛液槽，所述第一遮挡部和所述第二遮挡部形成所述盛液槽的两侧壁，所述盛液槽用于容纳清洗过所述晶圆片的液体。

在本方案，上述设置使得盛液盘上形成用于容纳废液的盛液槽，一方面能够容纳更多量的废液，另一方面也能够限制废液轻易流出盛液盘，有利于废液的收集，同时防止废液对其他部件的污染。