[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202110724507.1 | 申请日: | 2021-06-29 |
公开(公告)号: | CN114388562A | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
发明(设计)人: | 崔钟炫;李薰基 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艳;玉昌峰 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,其特征在于,包括:
第一图案,配置于基板上,并接收驱动电压;
第二图案,配置于所述第一图案上,并接收所述驱动电压;
中间图案,配置于所述第一图案上,并接收所述驱动电压;
第一源极图案,配置于所述中间图案上,并与所述第一图案、所述第二图案以及所述中间图案接触;
第二源极图案,配置于与所述第一源极图案相同的层,并与所述中间图案接触;以及
第三源极图案,配置于所述第二源极图案上,并与所述第二源极图案接触。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
所述第一图案是包含硅半导体的第一有源图案,
所述显示装置还包括:第二有源图案,配置于所述第二图案上,并包含氧化物半导体,
所述中间图案配置于所述第二有源图案与所述第一源极图案之间。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,
所述第三源极图案通过第一接触孔与所述第二源极图案接触,
所述第二源极图案通过第二接触孔与所述中间图案接触,
所述第一源极图案通过第三接触孔与所述中间图案接触,通过第四接触孔与所述第二图案接触,并通过第五接触孔与所述第一图案接触,
所述第三接触孔至所述第五接触孔彼此隔开。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
所述第一图案是包含硅半导体的第一有源图案,
所述显示装置还包括:
第一栅极布线,配置于所述第一图案与所述中间图案之间;以及
第二有源图案,配置于所述中间图案上,并包含氧化物半导体,
所述第二图案配置于所述第二有源图案上。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其特征在于,
所述第三源极图案通过第一接触孔与所述第二源极图案接触,
所述第二源极图案通过第二接触孔与所述中间图案接触,
所述第一源极图案通过第三接触孔与所述第二图案接触,通过第四接触孔与所述中间图案接触,并通过第五接触孔与所述第一图案接触,
所述第三接触孔至所述第五接触孔彼此隔开。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
所述第一图案是包含硅半导体的第一有源图案,
所述显示装置还包括:
第一栅极布线,配置于所述第一图案与所述中间图案之间;以及
第二有源图案,配置于所述中间图案上,并包含氧化物半导体,
所述第二图案配置于与所述第二有源图案相同的层。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其特征在于,
所述第三源极图案通过第一接触孔与所述第二源极图案接触,
所述第二源极图案通过第二接触孔与所述中间图案接触,
所述第一源极图案通过第三接触孔与所述第二图案接触,通过第四接触孔与所述中间图案接触,并通过第五接触孔与所述第一图案接触,
所述第三接触孔至所述第五接触孔彼此隔开。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
所述第一图案是包含硅半导体的第一有源图案,
所述显示装置还包括:
第一栅极布线,配置于所述第一图案与所述第二图案之间;以及
第二有源图案,配置于所述第二图案上,并包含氧化物半导体,
所述中间图案配置于与所述第二有源图案相同的层。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其特征在于,
所述第三源极图案通过第一接触孔与所述第二源极图案接触,
所述第二源极图案通过第二接触孔与所述中间图案接触,
所述第一源极图案通过第三接触孔与所述中间图案接触,通过第四接触孔与所述第二图案接触,并通过第五接触孔与所述第一图案接触,
所述第三接触孔至所述第五接触孔彼此隔开。
10.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
所述驱动电压以所述第三源极图案、所述第二源极图案、所述中间图案以及所述第一源极图案的顺序传输,
所述第一源极图案向所述第一图案以及所述第二图案传输所述驱动电压。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的