[发明专利]显示面板窄边框的测试方法与显示面板在审
申请号: | 202110725020.5 | 申请日: | 2021-06-29 |
公开(公告)号: | CN113437128A | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
发明(设计)人: | 王玉;樊聪;董向丹;都蒙蒙;袁长龙 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/66 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 边框 测试 方法 | ||
1.一种显示面板窄边框的测试方法,其特征在于,包括:
提供一显示面板,包括衬底基板,所述衬底基板包括显示区和围绕所述显示区的非显示区;所述衬底基板的所述非显示区上形成有预设宽度的低电平信号线;
将所述显示面板至少一个侧边的所述低电平信号线的宽度进行减窄,形成目标宽度的低电平信号线;
根据所述目标宽度的低电平信号线,对所述显示面板进行功能测试;
若功能测试通过,则确定所述低电平信号线的宽度可减至所述目标宽度。
2.根据权利要求1所述的测试方法,其特征在于,所述测试方法还包括:
若根据所述目标宽度的低电平信号线,功能测试不通过;
则确定所述低电平信号线的宽度不可减至所述目标宽度。
3.根据权利要求1所述的测试方法,其特征在于,所述显示面板包括:相对的上边沿与下边沿,以及位于所述上边沿与所述下边沿之间的两个侧边沿;
对靠近所述侧边沿的所述低电平信号线的宽度进行减窄,形成靠近所述侧边沿的目标宽度的低电平信号线。
4.根据权利要求3所述的测试方法,其特征在于,对相对的两个所述侧边沿对应的所述低电平信号线的宽度均进行减窄,在相对的两侧边沿均形成目标宽度的低电平信号线。
5.根据权利要求1所述的测试方法,其特征在于,将所述显示面板至少一个侧边的所述低电平信号线的宽度进行减窄,包括:
沿所述低电平信号线的延伸方向,通过隔离槽在所述低电平信号线分割出隔离部,以形成所述目标宽度的低电平信号线;所述隔离部位于所述隔离槽靠近所述显示区的一侧。
6.根据权利要求1所述的测试方法,其特征在于,所述低电平信号线包括位于衬底基板上的像素电极层与公共电极层;
沿所述低电平信号线的延伸方向,通过隔离槽在所述像素电极层分割出隔离部;
将所述显示区的像素界定层延伸至在所述像素电极的隔离部与所述公共电极层之间,以将所述像素电极的分隔部与所述公共电极层绝缘隔离。
7.根据权利要求1所述的测试方法,其特征在于,所述衬底基板的非显示区上包括:
栅绝缘层,设于所述衬底基板的一侧;
第一源漏金属层,设于所述栅绝缘层背离所述衬底基板的一侧;
钝化层,设于所述栅绝缘层背离所述衬底基板的一侧,并从所述显示区靠近所述非显示区的一侧延伸至所述第一源漏金属层上,覆盖部分所述第一源漏金属层;
第一平坦层,设于所述钝化层背离所述衬底基板的一侧,并覆盖所述钝化层;
第二源漏金属层,设于所述第一平坦层背所述钝化层的一侧,并覆盖第一平坦层以及部分所述第一源漏金属层;
第二平坦层,设于所述第二源漏金属层背离所述第一平坦层的一侧;
像素电极层,设于所述第二平坦层背离所述衬底基板的一侧,并覆盖所述第二平坦层以及部分所述第二源漏金属层;
公共电极层,设于所述像素电极层背离所述衬底基板的表面上;其中,所述第一源漏金属层、第二源漏金属层、像素电极层与公共电极层连接形成所述预设宽度的低电平信号线;
沿所述低电平信号线的延伸方向,在所述非显示区上形成隔离槽,通过所述隔离槽将所述第一源漏金属层、第二源漏金属层、像素电极层与公共电极层分割为断开的两个部分,以在所述低电平信号线分割出隔离部,形成所述目标宽度的低电平信号线;
使所述显示区的像素界定层延伸至在所述隔离部中的所述像素电极层与所述公共电极层之间,以将所述像素电极层与所述公共电极层绝缘分离。
8.根据权利要求1所述的测试方法,其特征在于,将所述显示面板至少一个侧边的所述低电平信号线的宽度进行减窄,包括:
沿所述低电平信号线的延伸方向,通过隔离槽在所述低电平信号线分割出主体部、隔离部与连接部,所述连接部连接所述主体部与所述隔离部;
在需要进行功能测试时,将所述隔离部与所述主体部之间的所述连接部的断开,以使所述主体部形成所述目标宽度的低电平信号线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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