[发明专利]一种基于放电等离子体辅助冷烧结制备ZnO陶瓷的方法在审
| 申请号： | 202110726142.6 | 申请日： | 2021-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN113354406A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 赵学童;陈祉伶;梁杰;康晟淋;杨丽君;成立;郝建;廖瑞金;龙宇丽;曾倩;孙健杰 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | C04B35/453 | 分类号： | C04B35/453;C04B35/64 |
| 代理公司： | 重庆晟轩知识产权代理事务所(普通合伙) 50238 | 代理人： | 王海凤 |
| 地址： | 400044 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 放电 等离子体 辅助 烧结 制备 zno 陶瓷 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于放电等离子体辅助冷烧结制备ZnO陶瓷的方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1：采用分析纯99.5％的商用ZnO粉末，取浓度为0.5-3mol/L，添加比5-20wt％醋酸溶液与ZnO粉料进行混合；
S2：将S1中的混料充分研磨均匀，倒入石墨模具；施加1-50MPa压力，保压1-5min后，在真空环境下，开始以30-100℃/min的速率升温，加热至120-300℃进行烧结，并保温1-15min，得到ZnO陶瓷。
2.如权利要求1所述的基于放电等离子体辅助冷烧结制备ZnO陶瓷的方法，其特征在于：所述S1中醋酸溶液的浓度为2mol/L。
3.如权利要求1所述的基于放电等离子体辅助冷烧结制备ZnO陶瓷的方法，其特征在于：所述S2中升温速率为50-100℃/min。
4.如权利要求1所述的基于放电等离子体辅助冷烧结制备ZnO陶瓷的方法，其特征在于：所述S2中所述施压的压力为5-50MPa。
5.如权利要求1所述的基于放电等离子体辅助冷烧结制备ZnO陶瓷的方法，其特征在于：所述S2烧结的温度为200-300℃，保温时间为5-15min。
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