[发明专利]一种奥氏体晶粒度腐蚀方法

权利要求书

1.一种奥氏体晶粒度腐蚀方法，其特征在于：包括如下步骤：

A)制备试样；

B)将试样利用夹具固定后在粗磨机上进行粗磨；

C)将粗磨后的试样用水冲洗干净后利用夹具安装在精磨机上进行精磨；

D)精磨完成后，将试样清洗后利用夹具固定在精磨机上进行抛光；

E)抛光完成后，将试样取下进行酒精超声清洗，并吹干。

2.如权利要求1所述奥氏体晶粒度腐蚀方法，其特征在于：所述步骤A)中，制备试样按照GB/T13298-1991标准进行取样，并在司特尔镶嵌机上进行镶制。

3.如权利要求1所述奥氏体晶粒度腐蚀方法，其特征在于：所述步骤B)中，采用100～130N的压力、130～170r/min的转速对试样进行粗磨。

4.如权利要求1所述奥氏体晶粒度腐蚀方法，其特征在于：所述步骤C)中，精磨包括如下步骤：

C1)安装220的磨片后，采用100～130N的压力、转盘与夹具均130～170r/min的转速(二者同速反向旋转)来对试样进行第一轮精磨，磨制时间4～6min；

C2)将220磨片更换成500的磨片后，采用100～130N的压力、转盘与夹具均130～170r/min的转速(二者同速反向旋转)来对试样进行第二轮精磨，磨制时间4～6min；

C3)将500磨片更换成1200的磨片后，采用100～130N的压力、转盘与夹具均130～170r/min的转速(二者同速反向旋转)来对试样进行第三轮精磨，磨制时间4～6min。

5.如权利要求1所述奥氏体晶粒度腐蚀方法，其特征在于：所述步骤D)中，抛光包括如下步骤：

D1)取下磨片，换上9um的抛光盘，将试样清洗后利用夹具固定在精磨机上进行第一轮抛光，抛光液采用9um的悬浮液，抛光时，压力采用90～110N，转盘与夹具均140～160r/min的转速(二者同向旋转)，抛光时间4～6min；

D2)第一轮抛光后，将9um抛光盘换成3um抛光盘，将试样清洗后利用夹具固定在精磨机上进行第二轮抛光，抛光液采用3um的悬浮液，抛光时，压力采用90～110N，转盘与夹具均140～160r/min的转速(二者同向旋转)，抛光时间4～6min；

D3)第二轮抛光后，将3um抛光盘换成1um抛光盘，将试样清洗后利用夹具固定在精磨机上进行第三轮抛光，抛光液采用1um的悬浮液，抛光时，压力采用75～85N，转盘与夹具均140～160r/min的转速(二者同向旋转)，抛光时间4～6min；

D4)第三轮抛光后，将1um抛光盘换成ops抛光盘，将试样清洗后利用夹具固定在精磨机上进行第四轮抛光，抛光液采用ops的悬浮液，抛光时，压力采用60～70N，转盘与夹具均90～110r/min的转速(二者同向旋转)，抛光时间4～6min。