[发明专利]一种奥氏体晶粒度腐蚀方法

说明书

本发明涉及奥氏体腐蚀方法技术领域，公开了一种奥氏体晶粒度腐蚀方法，包括如下步骤：制备试样；将试样利用夹具固定后在粗磨机上进行粗磨；将粗磨后的试样用水冲洗干净后利用夹具安装在精磨机上进行精磨；精磨完成后，将试样清洗后利用夹具固定在精磨机上进行抛光；抛光完成后，将试样取下进行酒精超声清洗，并吹干。本发明奥氏体晶粒度腐蚀方法，采用机械磨抛过程来实现奥氏体晶粒度的腐蚀，不涉及腐蚀试剂的调配，操作简单方便。

技术领域

本发明涉及奥氏体腐蚀方法技术领域，具体涉及一种奥氏体晶粒度腐蚀方法。

背景技术

奥氏体晶粒度对钢材的生产及加工性能有着较大影响。因此，对于奥氏体晶粒度的检验是后续研究的基础。目前针对奥氏体晶粒度，有着各种各样的腐蚀方法，主要有化学腐蚀法和高温激光显微镜法以及渗碳法等，但以上方法有以下弊端：

1、化学腐蚀法涉及到不同钢种采用不同的腐蚀试剂，配比繁复，并且不同浓度和腐蚀时间对腐蚀效果影响较大，不易于快速有效的腐蚀出奥氏体晶粒度；

2、高温激光显微镜法主要是设备受限，并且仅适用于金属材料在加热到Ac3点以上奥氏体单相区域内的奥氏体晶粒尺寸测量；

3、渗碳法主要也是设备受限，并且对过程不好管控。

发明内容

本发明的目的就是针对上述技术的不足，提供一种奥氏体晶粒度腐蚀方法，采用机械磨抛过程来实现奥氏体晶粒度的腐蚀，不涉及腐蚀试剂的调配，操作简单方便。

为实现上述目的，本发明所设计的奥氏体晶粒度腐蚀方法，包括如下步骤：

A)制备试样；

B)将试样利用夹具固定后在粗磨机上进行粗磨；

C)将粗磨后的试样用水冲洗干净后利用夹具安装在精磨机上进行精磨；

D)精磨完成后，将试样清洗后利用夹具固定在精磨机上进行抛光；

E)抛光完成后，将试样取下进行酒精超声清洗，并吹干。

优选的，所述步骤A)中，制备试样按照GB/T13298-1991标准进行取样，并在司特尔镶嵌机上进行镶制。

优选的，所述步骤B)中，采用100～130N的压力、130～170r/min的转速对试样进行粗磨。

优选的，所述步骤C)中，精磨包括如下步骤：

C1)安装220的磨片后，采用100～130N的压力、转盘与夹具均130～170r/min的转速(二者同速反向旋转)来对试样进行第一轮精磨，磨制时间4～6min；

C2)将220磨片更换成500的磨片后，采用100～130N的压力、转盘与夹具均130～170r/min的转速(二者同速反向旋转)来对试样进行第二轮精磨，磨制时间4～6min；

C3)将500磨片更换成1200的磨片后，采用100～130N的压力、转盘与夹具均130～170r/min的转速(二者同速反向旋转)来对试样进行第三轮精磨，磨制时间4～6min。

优选的，所述步骤D)中，抛光包括如下步骤：

D1)取下磨片，换上9um的抛光盘，将试样清洗后利用夹具固定在精磨机上进行第一轮抛光，抛光液采用9um的悬浮液，抛光时，压力采用90～110N，转盘与夹具均140～160r/min的转速(二者同向旋转)，抛光时间4～6min；

D2)第一轮抛光后，将9um抛光盘换成3um抛光盘，将试样清洗后利用夹具固定在精磨机上进行第二轮抛光，抛光液采用3um的悬浮液，抛光时，压力采用90～110N，转盘与夹具均140～160r/min的转速(二者同向旋转)，抛光时间4～6min；