[发明专利]一种阵列基板、制备方法以及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括多个薄膜晶体管，其特征在于，包括：

在衬底上形成图案化的有源材料层，所述图案化的有源材料层包括待形成的薄膜晶体管的沟道区以及对应所述薄膜晶体管的源漏电极的非沟道区；

在衬底上形成金属层，所述金属层使得所述多个薄膜晶体管的非沟道区电连接；

在所述金属层和所述图案化的有源材料层上形成栅极绝缘层、栅极以及与所述非沟道区电连接的源漏电极，以形成所述多个薄膜晶体管。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述有源材料层的材料为多晶硅。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述金属层的材料为具有与Si类似的电子亲和性的金属。

4.根据权利3所述的制备方法，其特征在于，所述金属层的材料为Ti或Al。

5.根据权利要求2-4中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述在衬底上形成图案化的有源材料层进一步包括：

在衬底上形成非晶硅层；

通过激光晶化方法使得所述非晶硅层晶体化，从而形成多晶硅层；

对所述多晶硅层图案化，形成图案化的多晶硅层。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述金属层的厚度小于晶体化的多晶硅层最薄处的厚度。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述金属层的厚度小于40nm。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述金属层和所述图案化的有源材料层上形成栅极绝缘层、栅极以及与所述非沟道区电连接的源漏电极，以形成所述多个薄膜晶体管，包括：

形成栅极绝缘层，以覆盖所述金属层和所述图案化的有源材料层；

在所述栅极绝缘层上形成栅极，所述栅极与所述沟道区在所述衬底的正投影位置相对应；

形成层间介电层，以覆盖所述栅极和露出的栅极绝缘层；

对所述层间介电层进行开孔，以露出所述非沟道区；

对所述非沟道区进行离子注入，形成掺杂区；

形成源漏电极，所述源漏电极通过所述开孔与所述掺杂区电连接。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述栅极绝缘层上形成栅极的同时，在所述栅极绝缘层上形成第一电容金属层；

在所述层间介电层上形成第二电容金属层，其中所述第二电容金属层在所述衬底上的正投影与所述第一电容金属层在所述衬底上的正投影对齐，所述第一电容金属层和第二电容金属层构成所述薄膜晶体管的存储电容。

10.一种阵列基板，包括多个薄膜晶体管，其特征在于，包括：

衬底；

在衬底上形成的图案化的有源材料层，其中所述图案化的有源材料层包括薄膜晶体管的沟道区以及对应所述薄膜晶体管的源漏电极的非沟道区；

在衬底上形成的金属层，所述金属层使得所述多个薄膜晶体管的非沟道区电连接；

在所述金属层和所述图案化的有源材料层上形成的栅极绝缘层、栅极以及与所述非沟道区电连接的源漏电极。

11.根据权利要求10所述阵列基板，其特征在于，所述有源材料层的材料为多晶硅。

12.根据权利要求11所述的阵列基板，其特征在于，所述金属层的材料为具有与Si类似的电子亲和性的金属。

13.根据权利要求12所述的阵列基板，其特征在于，所述金属层的材料为Ti或Al。

14.根据权利要求12所述的阵列基板，其特征在于，所述金属层的厚度小于所述多晶硅最薄处的厚度。