[发明专利]一种阵列基板、制备方法以及显示装置

说明书

本发明实施例公开一种阵列基板、制备方法以及显示装置。在一具体实施方式中，该阵列基板包括多个薄膜晶体管，该阵列基板的制备方法包括在衬底上形成图案化的有源材料层，图案化的有源材料层包括待形成的薄膜晶体管的沟道区以及对应薄膜晶体管的源漏电极的非沟道区；在衬底上形成金属层，金属层使得多个薄膜晶体管的非沟道区电连接；在金属层和图案化的有源材料层上形成栅极绝缘层、栅极以及与非沟道区电连接的源漏电极，以形成多个薄膜晶体管。该实施方式的制备方法通过形成与多个薄膜晶体管的非沟道区电连接的金属层，从而降低制备得到的阵列基板的薄膜晶体管之间的电流电阻，改善薄膜晶体管之间的电流移动。

技术领域

本发明涉及显示技术领域。更具体地，涉及一种阵列基板、制备方法以及显示装置。

背景技术

随着显示技术的进步，越来越多的有源矩阵有机发光二极管(Active MatrixOrganic Light Emitting Diode，简称：AMOLED)显示装置进入市场，相对于传统的薄膜晶体管液晶显示装置(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称：TFT-LCD)，AMOLED显示装置具有更快的反应速度、更高的对比度以及更广大的视角，因此AMOLED显示装置受到越来越多的面板厂商的重视。

然而，现有技术中应用于AMOLED的包括像素驱动电路的阵列基板，通常采用高电压、高剂量的离子注入工艺形成薄膜晶体管的掺杂区以及其他区域，从而导致产生巨大的面电阻，使得薄膜晶体管之间的电流电阻增大，影响薄膜晶体管之间的电流移动，进而影响AMOLED显示装置的显示质量，降低AMOLED显示装置的竞争力。

发明内容

本发明的目的在于提供一种阵列基板、制备方法以及显示装置，以解决现有技术存在的问题中的至少一个。

为达到上述目的，本发明采用下述技术方案：

本发明第一方面提供一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括多个薄膜晶体管，包括：

在衬底上形成图案化的有源材料层，所述图案化的有源材料层包括待形成的薄膜晶体管的沟道区以及对应所述薄膜晶体管的源漏电极的非沟道区；

在衬底上形成金属层，所述金属层使得所述多个薄膜晶体管的非沟道区电连接；

在所述金属层和所述图案化的有源材料层上形成栅极绝缘层、栅极以及与所述非沟道区电连接的源漏电极，以形成所述多个薄膜晶体管。

本发明第一方面所提供的阵列基板的制备方法，通过形成将多个薄膜晶体管的非沟道区电连接的金属层，而且金属层的面电阻较小，从而降低制备得到的阵列基板的薄膜晶体管之间的电流电阻，可有效改善薄膜晶体管之间的电流移动，即，能提高薄膜晶体管之间的电流流动速度，同时获得稳定的驱动能力的薄膜晶体管，进而提高装载有该阵列基板的显示装置的显示质量，提高该显示装置的市场竞争力；再者，金属层与非沟道区位于同一层中且与非沟道区电连接，从而简化金属排线区的排线复杂度和排线量，简化阵列基板的制备工艺，同时，金属层的形成工艺简单，与现有的阵列基板的形成工艺匹配良好。

可选地，所述有源材料层的材料为多晶硅。

可选地，所述金属层的材料为具有与Si类似的电子亲和性的金属。

该可选的实施方式通过采用具有与Si类似的电子亲和性的金属作为金属层的材料，从而使得金属层与非沟道区更好适配，更有助于改善薄膜晶体管之间电流移动的散射。

可选地，所述金属层的材料为Ti或Al。

可选地，所述在衬底上形成图案化的有源材料层进一步包括：

在衬底上形成非晶硅层；

通过激光晶化方法使得所述非晶硅层晶体化，从而形成多晶硅层；