[发明专利]一种用于多晶硅提纯的电磁加热炉

说明书

本发明涉及硅锭制造技术领域，且公开了一种用于多晶硅提纯的电磁加热炉，通过复位塞活动套接在复位管的内部，使得当多晶硅放置在复位型载料板和固定式载料板的顶部，此时调节三角槽的外形呈三角且顶部的宽度大于底部的宽度，并且调节三角槽与固定式载料板和复位型载料板相对应，使得复位型载料板和固定式载料板从呈交错布置的方式变化为对应布置的方式，此时复位型载料板和固定式载料板所形成的网格距离较大，使得多晶硅熔化后的液体能够通过复位型载料板和固定式载料板并沿着斜面储液槽内壁的斜面进入到储液装置的内部，避免液态多晶硅向下流动时受到的阻力过高使得在高温下与石英发生反应导致变质的问题，提高了该装置熔化过程中的稳定性。

技术领域

本发明涉及硅锭制造技术领域，具体为一种用于多晶硅提纯的电磁加热炉。

背景技术

单质硅时生产芯片中必不可少的材料之一，而单质硅需要从多晶硅中进行提纯，现有运用最为广泛的提纯技术就是从熔融状态下的多晶硅通过直拉法进行提纯，并且这种技术中最为关键的步骤就是堆多晶硅的熔化，通过将高频高压交变电通入线圈产生高温来对炉内的多晶硅进行加热，可以很轻松的使炉内的多晶硅达到熔点，由于多晶硅具有非常优秀的隔热性，使得多晶硅的熔融速度较慢，所以操作员会将温度数值设置在一个较高的水平下，从而提高多晶硅的熔融速度，这也是目前使用最为广泛的方式。

由于多晶硅的熔点和与石英材质的加热炉发生反应的临界温度点较为接近，温度一旦控制不好就极易发生熔融状态的多晶硅与石英发生反应导致液态的多晶硅受到污染使得后续的提纯步骤无法进行，并且参与熔融的多晶硅也无法再次使用，导致资源的浪费，若采取加热至多晶硅熔点又会使多晶硅的整个熔融过程非常的漫长，使得生产效率降低，对此，本申请文件提出一种用于多晶硅提纯的电磁加热炉，旨在解决上述所提出的问题。

发明内容

针对背景技术中提出的现有用于多晶硅提纯的电磁加热炉在使用过程中存在的不足，本发明提供了一种用于多晶硅提纯的电磁加热炉，具备即可高温加速多晶硅熔融速度也可避免熔融状态下的多晶硅与石英材质的熔炉发生反应的优点，解决了传统设备易出现熔融状态下的多晶硅与石英材质的熔炉发生反应的问题。

本发明提供如下技术方案：一种用于多晶硅提纯的电磁加热炉，包括外壳，其特征在于：所述外壳内腔的底部固定安装有支撑柱，所述支撑柱的顶部固定安装有圆形加热板，所述外壳内腔底部且位于支撑柱外侧的位置上固定安装有支撑座，所述支撑座的顶部固定安装有支撑环，所述支撑环的顶部放置有储液装置，所述储液装置的内部活动套接有承载装置，所述外壳内壁且位于承载装置上方的位置上固定安装有双管型加热器，所述外壳外表面且位于双管型加热器上方的位置上固定安装有入料口，所述储液装置的内部固定套接有姿态调整装置。

优选的，所述储液装置包括斜面储液槽，所述斜面储液槽的内壁设置为斜面，所述斜面储液槽的顶部固定安装有行程套筒，所述行程套筒的内壁上开设有行程槽且行程槽的内部活动套接有承载装置，所述行程槽的顶部固定安装有触发开关，所述触发开关的输出端通过信号连接的方式与双管型加热器的输入端相连接，所述行程槽的底部且位于斜面储液槽外侧的位置上固定安装有复位管。

优选的，所述承载装置包括防漏板，所述防漏板的外表面固定套接有固定式载料板，所述防漏板的底部固定安装有限位环，所述防漏板外表面且位于固定式载料板和限位环之间的位置上活动套接有复位型载料板，所述复位型载料板与固定式载料板之间呈交错式布置，所述固定式载料板的外表面固定安装有外固定架，所述外固定架的底部固定安装有复位塞且复位塞的数量为六个并以环形阵列的方式分布，所述复位塞活动套接在复位管的内部。

优选的，所述姿态调整装置包括调节环形板，所述调节环形板的顶部开设有调节三角槽，所述调节三角槽的外形呈三角且顶部的宽度大于底部的宽度，所述调节三角槽与固定式载料板和复位型载料板相对应。

优选的，所述双管型加热器由两层环形电磁加热板构成，所述双管型加热器外侧位于行程套筒的外侧且双管型加热器内侧位于防漏板的内侧。

本发明具备以下有益效果：