[发明专利]基于磁控溅射的屏蔽导电膜层制备设备、方法

权利要求书

1.基于磁控溅射的屏蔽导电膜层制备设备，其特征在于，沿着基材的输送方向，所述设备包括依次设置的上料升降装置、进料腔、真空镀膜室Y1、真空镀膜室Y2、出料腔以及下料升降装置，所述进料腔、出料腔中均设有破气阀，所述真空镀膜室Y1和真空镀膜室Y2相连通且两真空镀膜室保持相同的真空状态，所述设备还包括真空腔内传送机构、真空腔外传送机构、工艺气体系统以及抽气系统；所述真空腔内传送机构依次连通上料升降装置、进料腔、真空镀膜室Y1、真空镀膜室Y2、出料腔以及下料升降装置形成内传送通道；所述真空腔外传送机构依次连通下料升降装置、出料腔的支架、真空镀膜室Y2的支架、真空镀膜室Y1的支架、进料腔的支架以及上料升降装置形成外传送通道； 还包括真空腔室阀板开合装置，所述真空腔室阀板开合装置包括真空腔室阀板开合装置X1、真空腔室阀板开合装置X2、真空腔室阀板开合装置X3、真空腔室阀板开合装置X4，所述真空腔室阀板开合装置X1设在进料腔阀口处，所述真空腔室阀板开合装置X2设在进料腔与真空镀膜室Y1之间，所述真空腔室阀板开合装置X3设在真空镀膜室Y2与出料腔之间，所述真空腔室阀板开合装置 X4设在出料腔阀口处，所述真空腔室阀板开合装置用于在进料腔与外部环境之间、出料腔与外部环境之间、进料腔与真空镀膜室之间以及出料腔与真空镀膜室之间隔断密封；所述工艺气体系统包括制程气体、气体流量计以及管道，所述制程气体通过管道连通至真空镀膜室Y1、真空镀膜室Y2，所述气体流量计设在管道上；所述抽气系统包括初抽真空泵组M1、初抽真空泵组M2、初抽真空泵组M3以及高真空分子泵，在所述进料腔上独立配置初抽真空泵组M1，在所述出料腔上独立配置初抽真空泵组M2，所述真空镀膜室Y1、真空镀膜室Y2 共同配置一组初抽真空泵组M3，在所述真空镀膜室Y1、真空镀膜室Y2上均配置有高真空分子泵，所述初抽真空泵组M3连通至高真空分子泵的管路； 真空镀膜室Y1和真空镀膜室Y2中均设有包括靶座、磁铁以及靶材的阴极系统，其中，真空镀膜室Y1中的靶材为金属靶，所述金属靶为铜靶、铝靶、金靶、银靶、镍靶或者铬靶 中的一种，真空镀膜室Y2中的靶材为不锈钢靶；

所述设备还包括冷却系统，所述冷却系统包括冷冻泵、冷冻盘管，所述冷冻盘管分别设在进料腔与真空镀膜室Y1之间、真空镀膜室Y2与出料腔之间，所述冷冻盘管与冷冻泵相连接；

所述真空腔室阀板开合装置包括门板、翻转机构、阀板组件，所述门板设在真空镀膜室的腔体阀口、进料腔的阀口以及出料腔的阀口上，所述门板上设有开口；所述翻转机构包括第一驱动源、转轴、转轴座、连接轴，所述转轴座设在门板上且位于开口的一侧，所述转轴与转轴座配合，所述第一驱动源的动力输出端与转轴的一端配合，所述连接轴一端与第一驱动源的动力输出端铰接，另一端与转轴的一端连接；所述阀板组件包括阀板固定板、与所述开口的轮廓相配合的阀板，所述阀板设在阀板固定板上，所述阀板固定板设在转轴上与开口相对应的位置；其中，所述第一驱动源驱动转轴转动，进而带动阀板打开或关闭开口；

所述阀板固定板有多个，多个阀板固定板在阀板上顺序布置，所述阀板设在多个阀板固定板的下部，每个阀板固定板的后部均设有凸起部，每个凸起部均与转轴相连接；在所述的每个阀板固定板上还设有带有斜坡面的凸起块；还包括护锁组件，所述护锁组件包括第二驱动源、连动导杆以及多个导轮，所述第二驱动源的动力输出端与连动导杆的一端连接，所述连动导杆设在开口的另一侧，所述导轮分别设在连动导杆上与凸起块相对应的位置；斜坡面设在凸起块朝向导轮的一侧，其中，所述第二驱动源驱动连动导杆伸出或缩回，进而带动导轮压合或脱离凸起块； 所述第二驱动源的动力输出端通过第一连接扣与连动导杆的一端连接，在所述门板的朝向连动导杆的一侧上设有多个分别与每个凸起块相对应的固定座，所述固定座通过第二连接扣与连动导杆连接；所述第一连接扣的一端与第二驱动源的动力输出端销连接，所述第一连接扣的另一端与连动导杆的一端销连接；所述第二连接扣的一端与固定座销连接，所述第二连接扣的另一端与连动导杆销连接。