[发明专利]发光元件在审
申请号: | 202110732951.8 | 申请日: | 2018-01-26 |
公开(公告)号: | CN113594331A | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | 陈昭兴;王佳琨;庄文宏;吕政霖;曾咨耀 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/46 | 分类号: | H01L33/46;H01L33/02;H01L33/10;H01L33/14;H01L33/20;H01L33/22;H01L33/24;H01L33/36;H01L33/40;H01L33/42;H01L33/60;H01L33/62;F21K9/23;F21K9/232 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 | ||
1.一种发光元件,其特征在于,包含:
半导体结构,包含第一半导体层、第二半导体层位于该第一半导体层上、及活性层位于该第一半导体层和该第二半导体层之间,且该第二半导体层包含第一边缘;
第一绝缘结构,位于该第二半导体层上接触该第一边缘,且包含开孔于该第二半导体层上;
反射结构,位于该第一绝缘结构上并通过该开孔电连接该第二半导体层,且包含外侧边;以及
第二绝缘结构,位于该第一绝缘结构及该反射结构上,且包含第一绝缘开口暴露该第一半导体层,以及第二绝缘开口暴露该反射结构,
其中,该反射结构覆盖于该第一绝缘结构的一部分,且位于该第一绝缘结构和该第二绝缘结构之间。
2.一种发光元件,其特征在于,包含:
半导体结构,包含第一半导体层、第二半导体层位于该第一半导体层上、及活性层位于该第一半导体层和该第二半导体层之间,且该第二半导体层包含第一边缘;
反射结构,位于该第二半导体层上,且包含外侧边;以及
第一电极垫,位于该反射结构上且包含外侧壁邻近该反射结构的该外侧边,
其中,自该发光元件的侧视图观之,该反射结构的该外侧边延伸超过该第一电极垫的该外侧壁,且该反射结构的该外侧边未延伸超过该第二半导体层的该第一边缘。
3.一种发光元件,其特征在于,包含:
半导体结构,包含第一半导体层、第二半导体层位于该第一半导体层上、及活性层位于该第一半导体层和该第二半导体层之间,且该第二半导体层包含第一边缘;
反射结构,位于该第二半导体层上,且包含外侧边;
第二绝缘结构,位于该反射结构上,且包含第一绝缘开口暴露该第一半导体层,以及第二绝缘开口暴露该反射结构;以及
第一接触部,环绕该半导体结构并通过该第一绝缘开口接触该第一半导体层形成电连接,
其中,自该发光元件的上视图观之,该第一接触部的周长大于该活性层的周长。
4.如权利要求1、2或3所述的发光元件,还包含透明导电层,位于该半导体结构及该反射层之间,其中该透明导电层包含第一外侧边,较该反射结构的该外侧边靠近该第一边缘。
5.如权利要求1所述的发光元件,还包含透明导电层,形成于该第一绝缘结构及该第二半导体层上,且延伸至该第一边缘以覆盖该第一绝缘结构的侧部。
6.如权利要求2或3所述的发光元件,还包含第一绝缘结构,位于该第二半导体层上且接触该第一边缘。
7.如权利要求6所述的发光元件,其中该反射结构覆盖于该第一绝缘结构的一部分。
8.如权利要求6所述的发光元件,还包含透明导电层,形成于该第一绝缘结构及该第二半导体层上,且延伸至该第一边缘以覆盖该第一绝缘结构的侧部。
9.如权利要求2所述的发光元件,还包含第二绝缘结构,位于该反射结构上,且包含第一绝缘开口暴露该第一半导体层及第二绝缘开口暴露该反射结构。
10.如权利要求3或9所述的发光元件,还包含:
第三绝缘结构,位于该第二绝缘结构上,且包含第一开口及第二开口于该第二半导体层上;
第一电极垫,位于该第三绝缘结构上,且通过该第一开口电连接该第一半导体层;以及
第二电极垫,位于该第三绝缘结构上,且通过该第二开口电连接该第二半导体层。
11.如权利要求3所述的发光元件,还包含第二接触部,位于该第二绝缘结构上并通过该第二绝缘开口电连接该第二半导体层,其中该第一接触部环绕该第二接触部。
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