[发明专利]发光元件

说明书

本发明公开一种发光元件，其包含半导体结构，包含第一半导体层、第二半导体层位于第一半导体层上、及活性层位于第一半导体层和第二半导体层之间，且第二半导体层包含第一边缘；第一绝缘结构，位于第二半导体层上接触第一边缘，且包含开孔于第二半导体层上；反射结构，位于第一绝缘结构上并通过开孔电连接第二半导体层，且包含外侧边；以及第二绝缘结构，位于第一绝缘结构及反射结构上，且包含第一绝缘开口暴露第一半导体层，以及第二绝缘开口暴露反射结构，其中，反射结构覆盖于第一绝缘结构的一部分，且位于第一绝缘结构和第二绝缘结构之间。

本申请是中国发明专利申请(申请号：201810076678.6，申请日：2018年01月26日，发明名称：发光元件)的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种发光元件的一结构，且特别是涉及一种包含半导体结构及反射层位于该半导体结构上的发光元件。

背景技术

发光二极管(Light-Emitting Diode,LED)为固态半导体发光元件，其优点为功耗低、产生的热能低、工作寿命长、防震、体积小、反应速度快和具有良好的光电特性，例如稳定的发光波长。因此，发光二极管被广泛应用于家用电器、设备指示灯及光电产品等。

发明内容

本发明提供一种发光元件，其包含半导体结构，包含第一半导体层、第二半导体层位于第一半导体层上、及活性层位于第一半导体层和第二半导体层之间，且第二半导体层包含第一边缘；第一绝缘结构，位于第二半导体层上接触第一边缘，且包含开孔于第二半导体层上；反射结构，位于第一绝缘结构上并通过开孔电连接第二半导体层，且包含外侧边；以及第二绝缘结构，位于第一绝缘结构及反射结构上，且包含第一绝缘开口暴露第一半导体层，以及第二绝缘开口暴露反射结构，其中，反射结构覆盖于第一绝缘结构的一部分，且位于第一绝缘结构和第二绝缘结构之间。

本发明提供一种发光元件，其包含半导体结构，包含第一半导体层、第二半导体层位于第一半导体层上、及活性层位于第一半导体层和第二半导体层之间，且第二半导体层包含第一边缘；反射结构，位于第二半导体层上，且包含外侧边；以及第一电极垫，位于反射结构上且包含外侧壁鄰近反射结构的外侧边，其中，自发光元件的一侧视图观之,反射结构的外侧边延伸超过第一电极垫的外侧壁，且反射结构的外侧边未延伸超过第二半导体层的第一边缘。

本发明提供一种发光元件，其包含半导体结构，包含第一半导体层、第二半导体层位于第一半导体层上、及活性层位于第一半导体层和第二半导体层之间，且第二半导体层包含第一边缘；反射结构，位于第二半导体层上，且包含外侧边；第二绝缘结构，位于反射结构上，且包含第一绝缘开口暴露第一半导体层，以及第二绝缘开口暴露反射结构；以及第一接触部，环绕半导体结构并通过第一绝缘开口接触第一半导体层形成电连接，其中，自发光元件的一上视图观之,第一接触部的周长大于活性层的周长。

附图说明

图1为本发明一实施例中所揭示的一发光元件1c的上视图；

图2为沿着图1的线D-D’所揭示的发光元件1c的剖面示意图；

图3A～图3C分别为本发明多个不同实施例中所揭示的一发光元件的透明导电层及反射层的部分剖面示意图；

图3D为本发明一实施例中所揭示的一发光元件的部分剖面示意图；

图4A为样品A～B的特性图表；

图4B为样品C～F的特性图表；

图5为本发明一实施例中所揭示的一发光元件2c的上视图；

图6A～图6I为本发明实施例中所揭示的发光元件1c、2c的制造流程图；

图7为沿着图5的线E-E’所揭示的一发光元件2c的剖面示意图；

图8为本发明一实施例的发光装置3的示意图；