[发明专利]等离子体处理装置

说明书

本发明提供一种等离子体处理装置。目的在于减少处理室的压力的偏差。提供一种排气装置，该排气装置具有：排气机构，其具有第1叶片构件和第2叶片构件，该第1叶片构件和该第2叶片构件在处理容器的排气空间中同轴地配置于比被处理体靠外周侧的位置，且至少一者能够旋转，该处理容器在真空气氛的处理空间中对被处理体实施处理；以及排气部，其与所述排气空间连通，在所述排气机构的下游侧进行所述处理容器内的排气。

本申请是申请日为2018年12月03日、申请号为201811464877.0、发明名称为“排气装置、处理装置以及排气方法”的中国发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及等离子体处理装置。

背景技术

在半导体制造中，对于在真空气氛的处理室中对被处理体进行处理的处理装置，为了将处理室控制成预定的压力，设置有排气装置。对于所使用的排气装置，提出了各种类型(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2000-183037号公报

发明内容

发明要解决的问题

若处理室的压力存在偏差，则被处理体的处理变得不均匀，因此，优选排气装置安装于处理室的压力不产生偏差的位置。例如，若将排气装置安装于在处理装置的侧壁或底部的外周侧设置的排气口，则沿着横向、外周方向进行排气的抽吸。因此，排气空间的压力产生偏差，其结果，在处理室中也有时产生压力的偏差。

然而，在处理装置之下有时配置高频电源、供电棒等、或设置被处理体的调温用的冷却气体用的配管、制冷剂用的配管等。因此，需要配置这些设备的空间，有时难以在处理室的压力难以产生偏差的处理装置的中央下的位置配置排气装置。

针对上述问题，在一方面，本发明的目的在于减少处理室的压力的偏差。

用于解决问题的方案

为了解决上述问题，根据一技术方案，提供一种排气装置，其具有：排气机构，其具有第1叶片构件和第2叶片构件，该第1叶片构件和该第2叶片构件在处理容器的排气空间中同轴地配置于比被处理体靠外周侧的位置，且至少一者能够旋转，该处理容器在真空气氛的处理空间中对被处理体实施处理；以及排气部，其与所述排气空间连通，在所述排气机构的下游侧进行所述处理容器内的排气。

根据另一技术方案，提供一种处理装置，该处理装置具备排气装置，该排气装置具有：排气机构，其具有第1叶片构件和第2叶片构件，该第1叶片构件和该第2叶片构件在处理容器的排气空间中同轴地配置于比被处理体靠外周侧的位置，且至少一者能够旋转，该处理容器在真空气氛的处理空间中对被处理体实施处理；以及排气部，其与所述排气空间连通，在所述排气机构的下游侧进行所述处理容器内的排气。

根据另一技术方案，提供一种排气方法，处理容器在真空气氛的处理空间中对被处理体实施处理，在该处理容器的排气空间中，使同轴地配置到比被处理体靠外周侧的位置的第1叶片构件和第2叶片构件中的至少一者进行旋转，利用与所述排气空间连通且配置到所述第1叶片构件和所述第2叶片构件的下游侧的排气部进行所述处理容器内的排气，基于预定的条件，使进行旋转的所述第1叶片构件和所述第2叶片构件中的至少一者的每单位时间的转速变化。