[发明专利]一种基准电流产生电路、方法、电子设备及测试工装有效

专利信息
申请号: 202110736049.3 申请日: 2021-06-30
公开(公告)号: CN113409841B 公开(公告)日: 2023-08-04
发明(设计)人: 陈纬荣;冯博;冯鹏亮;陈慧 申请(专利权)人: 芯天下技术股份有限公司
主分类号: G11C7/14 分类号: G11C7/14;G11C7/12
代理公司: 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 代理人: 黄家豪
地址: 518000 广东省深圳市龙岗区园山街*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 基准 电流 产生 电路 方法 电子设备 测试 工装
【权利要求书】:

1. 一种基准电流产生电路,用于为Nor Flash产生存储单元操作需求的基准电流,其特征在于,包括:

带转换开关的预充电电路(1),用于提供预充电信号和输出基于预充电信号生成的基准电压信号;

以若干第一存储单元调节输出电流的基准电流生成电路(2),与预充电电路(1)电连接,用于接收基准电压信号,并输出初始基准电流信号;

带转换开关的比较电路(3),与基准电流生成电路(2)电连接,用于接收初始基准电流信号并输出作用于目标存储单元的最终基准电流信号;

基准电流读取电路(4),电连接于所述基准电流生成电路(2),用于接收初始基准电流信号并输出最终基准电流信号;

所述预充电电路(1)可通过基准电压信号调节基准电流生成电路(2)中第一存储单元的阈值电压以改变初始基准电流信号而调节最终基准电流信号;

所述预充电电路(1)包括:

带转换开关的预充电电源,用于发出预充电信号;

若干第二存储单元,通过位线与预充电电源电连接,用于接收预充电信号并输出基准电压信号;

所述第二存储单元数量与第一存储单元数量一致,并通过字线与第一存储单元连接,可配合预充电电源发出的预充电信号生成基准电压信号以调节第一存储单元的阈值电压以改变第二存储单元接收基准电压信号后生成的基准电流信号大小。

2.根据权利要求1所述的一种基准电流产生电路,其特征在于,还包括位线电流读取电路(5),电连接于所述预充电电路(1)和所述基准电流生成电路(2),可读取并输出第一存储单元的位线电流、第二存储单元的位线电流以及第一存储单元和第二存储单元的位线电流之和。

3.根据权利要求1所述的一种基准电流产生电路,其特征在于,所述基准电压信号为第二存储单元的漏极电压。

4.根据权利要求1所述的一种基准电流产生电路,其特征在于,所述基准电压生成电路包括:

若干第一存储单元,通过字线端与预充电电路(1)电连接;

运算放大器,电连接于所述预充电电路(1)和第一存储单元,用于钳制并调节第一存储单元的阈值电压,以使得第一储存单元输出初始电流信号;

若干第一PMOS管,电连接于运算放大器和第一存储单元,用于接收初始电流信号并输出初始基准电流信号。

5.根据权利要求1所述的一种基准电流产生电路,其特征在于,所述比较电路(3)包括:

转换开关,与所述基准电流生成电路(2)电连接,用于控制初始基准电流信号是否导通;

若干第二PMOS管,电连接于所述转换开关和目标存储单元的位线,用于接收初始基准电流信号且输出最终基准电流信号,并以最终基准电流信号与目标存储单元的位线电流信号比较而生成基准电压信号。

6.根据权利要求5所述的一种基准电流产生电路,其特征在于,基准电流读取电路(4)包括与基准电流生成电路(2)电连接的若干第三PMOS管。

7. 一种基于权利要求1-6任一项所述的基准电流产生电路的基准电流产生方法,用于为Nor Flash产生存储单元操作需求的基准电流,其特征在于,包括以下步骤:

S1、根据操作指令,打开预充电电路(1)以输出预充电信号和基于预充电信号生成的基准电压信号;

S2、利用基准电压信号调节第一存储单元的阈值电压以使基准电流生成电路(2)输出初始基准电流信号;

S3、通过基准电流读取电路(4)读取并计算初始基准电流信号是否能产生预期的最终基准电流信号;

S4、若能,则打开比较电路(3)的转换开关以生成并输出最终基准电流信号,若不能,则调节预充电信号,再次执行步骤S2-S4。

8.一种电子设备,其特征在于,包括处理器以及存储器,所述存储器存储有计算机可读取指令,当所述计算机可读取指令由所述处理器执行时,运行如权利要求7所述方法中的步骤。

9.一种测试工装,其特征在于,包括如权利要求1-6任一项所述的一种基准电流产生电路。

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