[发明专利]一种基准电流产生电路、方法、电子设备及测试工装

说明书

本发明公开了一种基准电流产生电路、方法、电子设备及测试工装，其中，电路包括：带转换开关的预充电电路、以若干第一存储单元调节输出电流的基准电流生成电路、带转换开关的比较电路、基准电流读取电路，所述预充电电路可通过基准电压信号调节基准电流生成电路中第一存储单元的阈值电压以改变初始基准电流信号而调节最终基准电流信号；该基准电流产生电路产生的最终基准电流信号是基于第一存储单元调节产生的，相比传统基于基准电压和电阻产生的基准电流，本申请实施例解决了利用基准电压和电阻产生的基准电流无法很好地精确匹配于目标存储单元因制程/电压/温度的浮动影响而输出的电流使用，导致读取操作精度不准确的问题。

技术领域

本申请涉及芯片技术领域，具体而言，涉及一种基准电流产生电路、方法、电子设备及测试工装。

背景技术

Nor Flash在进行读取操作时,一般是通过将目标存储单元的位线电流Icell和Isen进行比较形成反馈电压Vsen,再由灵敏放大器进行放大输出，利用反馈电压Vsen进行数据读取及电流调节，现有的基准电流产生电路如图1所示。

结合图1可知，这种基准电流电路中的基准电流可通过以下换算公式进行计算：

。

由该换算公式可知，该电路产生的基准电流与电阻RES和基准电压Vref直接关联，而Vref一般为带隙基准电压,其基本不随制程/电压/温度变化；然而，Nor Flash在读取操作过程中，由于目标存储单元的字线端RD_WL一般有电荷泵产生,其电压值在不同制程/电压/温度都会有一定范围的浮动,造成其位线电流Icell浮动，同时因为存储单元为实晶体管,所以反馈电压Vsen也会对其位线电流Icell造成影响。

假设Q/(N*M)为不受制程/电压/温度影响的比例常数，公式中Vref为带隙基准，其也不受制程/电压/温度影响，电阻RES电阻值会受制程/电压/温度影响有一定范围的浮动，而其浮动变化情况与存储单元对应的浮动变化情况不一致，因此会导致，位线电流Icell和基准电流Isen中很多因素都会随着制程/电压/温度产生变化,而且其变化幅度和范围是完全不能相互抵消的. 这一点会对存储单元的读取精度带来很大的影响。

针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。

发明内容

本申请实施例的目的在于提供一种基准电流产生电路、方法、电子设备及测试工装，使产生的基准电流的浮动与目标存储单元位线电流浮动一致，以提高读取操作精度。

第一方面，本申请实施例提供了一种基准电流产生电路，用于为Nor Flash产生存储单元操作需求的基准电流，包括：

带转换开关的预充电电路，用于提供预充电信号和输出基于预充电信号生成的基准电压信号；

以若干第一存储单元调节输出电流的基准电流生成电路，与预充电电路电连接，用于接收基准电压信号，并输出初始基准电流信号；

带转换开关的比较电路，与基准电流生成电路电连接，用于接收初始基准电流信号并输出作用于目标存储单元的最终基准电流信号；

基准电流读取电路，电连接于所述基准电流生成电路，用于接收初始基准电流信号并输出最终基准电流信号；

所述预充电电路可通过基准电压信号调节基准电流生成电路中第一存储单元的阈值电压以改变初始基准电流信号而调节最终基准电流信号。

所述的一种基准电流产生电路，其中，所述预充电电路包括：

带转换开关的预充电电源，用于发出预充电信号；

若干第二存储单元，通过位线与预充电电源电连接，用于接收预充电信号并输出基准电压信号；