[发明专利]一种低擦除损伤的擦除方法、装置、电子设备及存储介质

权利要求书

1.一种低擦除损伤的擦除方法，用于NOR FLASH擦除操作，其特征在于，所述方法包括：在对NOR FLASH进行擦除操作时，错开对芯片中存储单元进行擦除操作的正高压和负高压的建立时间点和/或释放时间点。

2.根据权利要求1中所述的一种低擦除损伤的擦除方法，其特征在于，错开对芯片中存储单元进行擦除操作的正高压和负高压的建立时间点的过程包括以下步骤：

A1、配置并打开擦除使能信号；

A2、建立用于对芯片中存储单元进行擦除操作的正高压和负高压，所述正高压建立时间点早于所述负高压建立时间点；

A3、利用建立稳定后的正高压和负高压对相应存储单元进行擦除操作。

3.根据权利要求2中所述的一种低擦除损伤的擦除方法，其特征在于，步骤A2中，所述擦除使能信号生效时同时开始所述正高压的建立。

4.根据权利要求1中所述的一种低擦除损伤的擦除方法，其特征在于，所述正高压和所述负高压分别对应施加于选中擦除的存储单元和未选中擦除的存储单元。

5.根据权利要求1中所述的一种低擦除损伤的擦除方法，其特征在于，错开对芯片中存储单元进行擦除操作的正高压和负高压的释放时间点的过程包括以下步骤：

B1、在NOR FLASH擦除结束阶段且在擦除使能信号失效前，对负高压进行放电；

B2、对存储单元Bulk端的Bulk电压进行第一次放电；

B3、结束擦除使能信号使正高压上升至供电电压，以及使Bulk电压第二次放电至0V。

6.根据权利要求5中所述的一种低擦除损伤的擦除方法，其特征在于，Bulk电压第一次放电至供电电压等值大小。

7.根据权利要求5中所述的一种低擦除损伤的擦除方法，其特征在于，负高压放电至0V。

8.一种低擦除损伤的擦除装置，用于NOR FLASH擦除操作，其特征在于，包括：

使能信号模块，用于配置并打开、关闭擦除使能信号；

电压模块，用于对存储单元提供擦除操作所需的各类电压；

错开模块，用于错开擦除操作的正高压和负高压的建立时间点和/或释放时间点；

所述根据使能信号模块打开或关闭擦除使能信号可对应地开始或结束擦除操作，所述错开模块配在对应操作阶段可错开电压模块提供的正高压和负高压的建立时间点和释放时间点。

9.一种电子设备，其特征在于，包括处理器以及存储器，所述存储器存储有计算机可读取指令，当所述计算机可读取指令由所述处理器执行时，运行如权利要求1-7任一所述方法中的步骤。

10.一种存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时运行如权利要求1-7任一所述方法中的步骤。