[发明专利]非易失性存储器擦除方法、装置、电子设备及存储介质

权利要求书

1.一种非易失性存储器擦除方法，其特征在于，包括步骤：

A1.在接收到针对选定的存储区域的擦除指令时，验证所述选定的存储区域中的数据是否全为“1”；

A2.若否，则对所述选定的存储区域执行擦除处理；

A3.若是，则结束本次针对所述选定的存储区域的操作。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器擦除方法，其特征在于，步骤A2包括：

A201.对所述选定的存储区域执行预编程操作，以把所述选定的存储区域的所有存储单元转化为编程单元；

A202.对所述选定的存储区域执行擦除操作，以擦除所有存储单元；

A203.对所述选定的存储区域执行擦除验证操作，以验证各存储单元是否擦除成功；

A204.对所述选定的存储区域执行软编程操作，以对过擦除的存储单元进行软编程来提高其阈值电压。

3.根据权利要求2所述的非易失性存储器擦除方法，其特征在于，步骤A204之后，还包括：

A205.对所述选定的存储区域执行刷新编程操作，以对受到本次擦除操作影响的存储单元进行再次编程来保证其阈值电压足够高。

4.根据权利要求2所述的非易失性存储器擦除方法，其特征在于，若步骤A203中验证了擦除不成功，则返回步骤A202再次进行擦除操作，直到擦除成功或擦除操作的次数达到预设的次数阈值。

5.一种非易失性存储器擦除装置，其特征在于，包括：

验证模块，用于在接收到针对选定的存储区域的擦除指令时，验证所述选定的存储区域中的数据是否全为“1”；

第一执行模块，用于在所述选定的存储区域中的数据不是全为“1”的时候，对所述选定的存储区域执行擦除处理；

第二执行模块，用于在所述选定的存储区域中的数据是全为“1”的时候，结束本次针对所述选定的存储区域的操作。

6.根据权利要求5所述的非易失性存储器擦除装置，其特征在于，第一执行模块在对所述选定的存储区域执行擦除处理的时候：

对所述选定的存储区域执行预编程操作，以把所述选定的存储区域的所有存储单元转化为编程单元；

对所述选定的存储区域执行擦除操作，以擦除所有存储单元；

对所述选定的存储区域执行擦除验证操作，以验证各存储单元是否擦除成功；

对所述选定的存储区域执行软编程操作，以对过擦除的存储单元进行软编程来提高其阈值电压。

7.根据权利要求6所述的非易失性存储器擦除装置，其特征在于，第一执行模块在对所述选定的存储区域执行软编程操作之后，还：

对所述选定的存储区域执行刷新编程操作，以对受到本次擦除操作影响的存储单元进行再次编程来保证其阈值电压足够高。

8.根据权利要求6所述的非易失性存储器擦除装置，其特征在于，第一执行模块在对所述选定的存储区域执行擦除处理的时候，若擦除验证操作验证了擦除不成功，则再次进行擦除操作，直到擦除成功或擦除操作的次数达到预设的次数阈值。

9.一种电子设备，其特征在于，包括处理器和存储器，所述存储器中存储有计算机程序，所述处理器通过调用所述存储器中存储的所述计算机程序，用于执行如权利要求1-4任一项所述的非易失性存储器擦除方法的步骤。

10.一种存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时运行如权利要求1-4任一项所述的非易失性存储器擦除方法的步骤。