[发明专利]非易失性存储器擦除方法、装置、电子设备及存储介质

说明书

本发明提供了一种非易失性存储器擦除方法、装置、电子设备及存储介质，通过在接收到针对选定的存储区域的擦除指令时，验证所述选定的存储区域中的数据是否全为“1”；若否，则对所述选定的存储区域执行擦除处理；若是，则结束本次针对所述选定的存储区域的操作；从而可大大减少测试的时间，提高测试效率，并减少对芯片的擦除操作次数，降低对芯片的使用寿命的影响。

技术领域

本发明涉及半导体存储技术领域，尤其涉及一种非易失性存储器擦除方法、装置、电子设备及存储介质。

背景技术

非易失性储存器的擦除操作的操作范围是多根字线上的存储单元，目前，每次用户对特定存储区域发送擦除操作指令时，会直接对被选中的存储区域的所有存储单元转化为编程单元，然后进行擦除步骤。然而，有时候被选中的存储区域中的存储单元已经全部是擦除单元，不需要被擦除，对其再进行擦除是多余的，当需要对芯片进行多次测试时，则需要进行多次这种多余的擦除操作，从而大大增加了测试时间，降低了测试效率；此外，每对芯片多一次擦除操作，都会降低芯片的寿命，因此会影响芯片的使用寿命。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足之处，本申请实施例的目的在于提供一种非易失性存储器擦除方法、装置、电子设备及存储介质，可减少多余的擦除操作，从而有利于提高测试效率和降低对芯片的使用寿命的影响。

第一方面，本申请实施例提供一种非易失性存储器擦除方法，包括步骤：

A1.在接收到针对选定的存储区域的擦除指令时，验证所述选定的存储区域中的数据是否全为“1”；

A2.若否，则对所述选定的存储区域执行擦除处理；

A3.若是，则结束本次针对所述选定的存储区域的操作。

本申请实施例的非易失性存储器擦除方法，在接收到针对选定的存储区域的擦除指令时，先验证所述选定的存储区域中的数据是否全为“1”，若全为“1”，表示该选定的存储区域的所有存储单元已经全为擦除单元，因此无需再进行擦除，此时，直接结束本次针对所述选定的存储区域的操作，从而大大减少了测试的时间，提高了测试效率，并减少对芯片的擦除操作次数，降低对芯片的使用寿命的影响。

优选地，步骤A2包括：

A201.对所述选定的存储区域执行预编程操作，以把所述选定的存储区域的所有存储单元转化为编程单元；

A202.对所述选定的存储区域执行擦除操作，以擦除所有存储单元；

A203.对所述选定的存储区域执行擦除验证操作，以验证各存储单元是否擦除成功；

A204.对所述选定的存储区域执行软编程操作，以对过擦除的存储单元进行软编程来提高其阈值电压。

优选地，步骤A204之后，还包括：

A205.对所述选定的存储区域执行刷新编程操作，以对受到本次擦除操作影响的存储单元进行再次编程来保证其阈值电压足够高。

优选地，若步骤A203中验证了擦除不成功，则返回步骤A202再次进行擦除操作，直到擦除成功或擦除操作的次数达到预设的次数阈值。

第二方面，本申请实施例提供一种非易失性存储器擦除装置，包括：

验证模块，用于在接收到针对选定的存储区域的擦除指令时，验证所述选定的存储区域中的数据是否全为“1”；

第一执行模块，用于在所述选定的存储区域中的数据不是全为“1”的时候，对所述选定的存储区域执行擦除处理；

第二执行模块，用于在所述选定的存储区域中的数据是全为“1”的时候，结束本次针对所述选定的存储区域的操作。

优选地，第一执行模块在对所述选定的存储区域执行擦除处理的时候：

对所述选定的存储区域执行预编程操作，以把所述选定的存储区域的所有存储单元转化为编程单元；

对所述选定的存储区域执行擦除操作，以擦除所有存储单元；