[发明专利]对存储器进行编程的方法及存储器在审
| 申请号： | 202110737525.3 | 申请日： | 2021-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN113571115A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 郭晓江;汤强;田野;吴真用;杜智超;姜柯;王瑜 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;高翠花 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储器 进行 编程 方法 | ||
1.一种对存储器进行编程的方法，其特征在于，包括如下步骤：
以第一编程电压对所述存储器进行第一次编程；
验证第一次编程结果；
统计第一次编程的失败位数，并以第二编程电压对所述存储器进行第二次编程，所述第二编程电压大于所述第一编程电压；
判断所述第一次编程的失败位数是否小于第一预设值，若否，则验证第二次编程结果；
统计第二次编程的失败位数，并判断所述第二次编程的失败位数是否小于第二预设值，若否，则再次进行编程，直至失败位数小于所述第二预设值，其中，所述第二预设值小于所述第一预设值。
2.根据权利要求1所述的对存储器进行编程的方法，其特征在于，所述统计第一次编程的失败位数的步骤中，选择所述存储器中的部分页面进行统计。
3.根据权利要求1所述的对存储器进行编程的方法，其特征在于，所述统计第一次编程的失败位数的步骤，与以第二编程电压对所述存储器进行第二次编程的步骤，在同一个编程脉冲内实施。
4.根据权利要求1所述的对存储器进行编程的方法，其特征在于，统计第二次编程的失败位数，判断所述第二次编程的失败位数是否小于第二预设值，若否，则再次进行编程的步骤进一步包括：
(a)判断编程次数是否小于设定编程次数，若是，则调整编程电压，进行再次编程；
(b)验证再次编程的结果；
(c)统计再次编程的失败位数，并判断所述再次编程的失败位数是否小于第二预设值；
若否，则重复上述步骤(a)～(c)，直至失败位数小于所述第二预设值。
5.根据权利要求4所述的对存储器进行编程的方法，其特征在于，所述编程电压随着编程次数的增加而递增。
6.根据权利要求1所述的对存储器进行编程的方法，其特征在于，判断所述第一次编程的失败位数是否小于第一预设值的步骤中，若所述第一次编程的失败位数小于所述第一预设值，则结束编程。
7.根据权利要求1所述的对存储器进行编程的方法，其特征在于，统计第二次编程的失败位数，并判断所述第二次编程的失败位数是否小于第二预设值的步骤中，若所述第二次编程的失败位数小于所述第二预设值，则结束编程。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述存储器为非易失性存储器。
9.一种存储器，包括编程控制单元，其特征在于，所述编程控制单元执行如下方法，以对所述存储器进行编程：
以第一编程电压对所述存储器进行第一次编程；
验证第一次编程结果；
统计第一次编程的失败位数，并以第二编程电压对所述存储器进行第二次编程，所述第二编程电压大于所述第一编程电压；
判断所述第一次编程的失败位数是否小于第一预设值，若否，则验证第二次编程结果；
统计第二次编程的失败位数，并判断所述第二次编程的失败位数是否小于第二预设值，若否，则再次进行编程，直至失败位数小于所述第二预设值，其中，所述第二预设值小于所述第一预设值。
10.根据权利要求9所述的存储器，其特征在于，所述统计第一次编程的失败位数的步骤中，选择所述存储器中的部分页面进行统计。
11.根据权利要求9所述的存储器，其特征在于，所述统计第一次编程的失败位数的步骤，与以第二编程电压对所述存储器进行第二次编程的步骤，在同一个编程脉冲内实施。
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