[发明专利]对存储器进行编程的方法及存储器

说明书

本发明提供一种对存储器进行编程的方法：以第一编程电压对存储器进行第一次编程；验证第一次编程结果；统计第一次编程失败位数，并以第二编程电压对存储器进行第二次编程，第二编程电压大于第一编程电压；判断第一次编程的失败位数是否小于第一预设值，若否，则验证第二次编程结果；统计第二次编程的失败位数，并判断第二次编程的失败位数是否小于第二预设值，若否，则再次进行编程，直至失败位数小于第二预设值，其中，第二预设值小于第一预设值。本发明将第一预设值设置为较大的容值，根据第一次编程的失败位数是否小于第一预设值而判断编程是否成功，若成功，则不需要再进行第二次编程结果的验证，大大缩短了编程时间，且保证存储器的可靠性。

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种对存储器进行编程的方法及存储器。

背景技术

对于三维存储器而言，存储器编程时间是一个关键性能指标。如果可以降低总的编程所采用的脉冲数，就可以降低总的编程时间。对于SLC/MLC/TLC/QLC(单电平单元、多电平单元、三电平单元、四电平单元)等任何一种模式下的三维存储器，可以使用非常高的编程电压，用一次/多次脉冲完成编程，但是这会导致快速单元过度编程，致使可靠性退化。

为了保证可靠性，可以用两次/多次脉冲编程的设置方式，完成编程和验证过程。但是这就增加了总的编程时间。因此，如何降低编程时间，是现有技术需要解决的问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种对存储器进行编程的方法及存储器，其能够大大降低存储器的编程时间。

为了解决上述问题，本发明提供了一种对存储器进行编程的方法，其包括如下步骤：

以第一编程电压对所述存储器进行第一次编程；

验证第一次编程结果；

统计第一次编程的失败位数，并以第二编程电压对所述存储器进行第二次编程，所述第二编程电压大于所述第一编程电压；

判断所述第一次编程的失败位数是否小于第一预设值，若否，则验证第二次编程结果；

统计第二次编程的失败位数，并判断所述第二次编程的失败位数是否小于第二预设值，若否，则再次进行编程，直至失败位数小于所述第二预设值，其中，所述第二预设值小于所述第一预设值。

进一步，所述统计第一次编程的失败位数的步骤中，选择所述存储器中的部分页面进行统计。

进一步，所述统计第一次编程的失败位数的步骤，与以第二编程电压对所述存储器进行第二次编程的步骤，在同一个编程脉冲内实施。

进一步，统计第二次编程的失败位数，判断所述第二次编程的失败位数是否小于第二预设值，若否，则再次进行编程的步骤进一步包括：

(a)判断编程次数是否小于设定编程次数，若是，则调整编程电压，进行再次编程；

(b)验证再次编程的结果；

(c)统计再次编程的失败位数，并判断所述再次编程的失败位数是否小于第二预设值；

若否，则重复上述步骤(a)～(c)，直至失败位数小于所述第二预设值。

进一步，所述编程电压随着编程次数的增加而递增。

进一步，判断所述第一次编程的失败位数是否小于第一预设值的步骤中，若所述第一次编程的失败位数小于所述第一预设值，则结束编程。

进一步，统计第二次编程的失败位数，并判断所述第二次编程的失败位数是否小于第二预设值的步骤中，若所述第二次编程的失败位数小于所述第二预设值，则结束编程。

进一步，所述存储器为非易失性存储器。