[发明专利]横电磁波室

权利要求书

1.一种横电磁波室，包括外导体（20），其特征在于，所述外导体围设形成一小室（1），在所述小室内沿一轴向（50）设有内导体（10），所述内导体两端分别连接有一同轴连接头（30）；其中，

所述内导体具有一主体段（11）、由所述主体段沿纵长方向延伸形成的两渐变段（12），以及轴接于所述渐变段且分别位于渐变段两端的两匹配段（13）；

所述渐变段的外周表面在所述轴向上的纵截面与轴向自内向外延伸形成一第一斜切角和一第二斜切角，所述第二斜切角大于所述第一斜切角，且渐变段的纵截面自内向外逐渐减小；

在所述小室侧壁上沿轴向设有过孔（60），所述同轴连接头从所述小室外穿过所述过孔并延伸至所述小室内以连接于所述匹配段，所述小室用以在0至5GHz频率范围下对集成电路芯片进行测试；

所述渐变段的外周表面在所述轴向上的纵截面为渐变式双梯形结构，所述纵截面包括沿所述轴向连接的第一梯形（121）和第二梯形（122），所述第二梯形的外周表面与所述轴向形成所述第二斜切角，所述第一梯形的外周表面与所述轴向形成所述第一斜切角。

2.根据权利要求1所述的横电磁波室，其特征在于，所述过孔的半径为1.6mm~1.8mm。

3.根据权利要求1所述的横电磁波室，其特征在于，所述内导体的外周表面与所述外导体的内周表面的最小间距为0.2mm~0.4mm。

4.根据权利要求1所述的横电磁波室，其特征在于，所述外导体为长方体型结构件，外形尺寸为长14cm、宽6cm、高4cm，且所述外导体的厚度大于等于2mm。

5.根据权利要求1所述的横电磁波室，其特征在于，所述内导体通过导电银浆与所述同轴连接头内的针连接。

6.根据权利要求5所述的横电磁波室，其特征在于，所述内导体为铝表面镀有高电导率金属的结构件。

7.根据权利要求1所述的横电磁波室，其特征在于，在所述小室内还设有支撑体（40），所述支撑体用以支撑卡嵌所述内导体位于所述小室中心。

8.根据权利要求1所述的横电磁波室，其特征在于，所述外导体包括一上半外导体（220）以围设形成一上半腔体（22）、一下半外导体（210）以围设形成一下半腔体（21），所述上半外导体与所述下半外导体可拆卸配合，所述上半腔体和所述下半腔体围设形成所述小室。

9.根据权利要求8所述的横电磁波室，其特征在于，还包括位于所述外导体上方的一屏蔽板（24），所述外导体在靠近所述屏蔽板一侧上设有开槽（23）用于放置安装有所述集成电路芯片的测试板。