[发明专利]横电磁波室

说明书

本发明公开了一种横电磁波室，包括外导体，外导体围设形成一小室，在小室内沿一轴向设有内导体，所述内导体两端分别连接有一同轴连接头；内导体具有一主体段、由主体段沿其纵长方向延伸形成的两渐变段，以及轴接于渐变段且位于端部的两匹配段；渐变段的外周表面在轴向上的纵截面与轴向自内向外延伸形成一第一斜切角和一第二斜切角，第二斜切角大于第一斜切角，且渐变段的纵截面积自内向外逐渐减小；在小室侧壁上沿轴向设有过孔，同轴连接头从小室外穿过过孔并延伸至小室内以连接于匹配段，小室用以在0至5GHz频率范围下对集成电路芯片进行测试。该横电磁波室能实现对阻抗的匹配优化实现所述小室具有更好的回波损耗以及更低的插入损耗。

技术领域

本发明涉及一种电磁兼容技术领域，尤其涉及一种横电磁波室。

背景技术

目前的横电磁波室(TEM chamber，TEM小室)的测量带宽可达3GHz，但随着集成电路的工作频率日益升高，现有TEM小室的测量带宽无法满足其测试要求。随着测试频率的快速升高，TEM小室的性能在高频段会显著下降。

常规的TEM小室的常见尺寸为长30cm、宽15cm、高8cm，适用的频率范围为0～3GHz，TEM内部的可用测试空间较大，在测量高频的IC芯片时，TEM的测试频率范围仍被限制在3GHz内，且随着频率升高，TEM小室的性能将会显著下降，对测试结果的准确性会产生一定的影响。尤其针对小尺寸的高频集成电路IC芯片，需要采用一种新的TEM小室来进行测试。

发明内容

发明目的：提供一种能够提升测试上限频率至5GHz并增加测试结果准确性的更小尺寸的横电磁波室。

技术方案：一种横电磁波室，包括外导体，所述外导体围设形成一小室，在所述小室内沿一轴向设有内导体，所述内导体两端分别连接有一同轴连接头；其中，所述内导体具有一主体段、由所述主体段沿纵长方向延伸形成的两渐变段，以及轴接于所述渐变段且分别位于渐变段两端的两匹配段；所述渐变段的外周表面在所述轴向上的纵截面与轴向自内向外延伸形成一第一斜切角和一第二斜切角，所述第二斜切角大于所述第一斜切角，且渐变段的纵截面自内向外逐渐减小；在所述小室侧壁上沿轴向设有过孔，所述同轴连接头从所述小室外穿过所述过孔并延伸至所述小室内以连接于所述匹配段，所述小室用以在0至5GHz频率范围下对集成电路芯片进行测试。

优选的，所述渐变段的外周表面在所述轴向上的纵截面为渐变式双梯形结构，所述纵截面包括沿所述轴向连接的第一梯形和第二梯形，所述第二梯形的外周表面与所述轴向形成所述第二斜切角，所述第一梯形的外周表面与所述轴向形成所述第一斜切角，所述渐变段用以改善阻抗的稳定性。

优选的，所述过孔的半径为1.7mm，以调节阻抗。

优选的，所述内导体的外周表面与所述外导体的内周表面的间距为0.3mm，用以优化内导体与外导体之间的匹配阻抗，防止小室的反射系数性能变差。

优选的，所述内导体通过导电银浆与所述同轴连接头内的针连接。

优选的，所述内导体为铝表面镀有高电导率金属的结构件，以减少所述内导体与所述同轴连接头的针阻抗。

优选的，在所述小室内还设有支撑体，所述支撑体用以支撑卡嵌所述内导体位于所述小室中心，使对所述小室性能影响最小。

优选的，所述外导体包括一上半外导体以围设形成一上半腔体、一下半外导体以围设形成一下半腔体，所述上半外导体与所述下半外导体可拆卸式配合以使所述上半腔体和所述下半腔体围设形成所述小室，利于测试和维修。

优选的，还包括位于所述外导体上方的一屏蔽板，所述外导体在靠近所述屏蔽板一侧上设有开槽用于放置安装有所述集成电路芯片的测试板，该集成电路芯片尺寸更小。

有益效果：本发明与现有技术相比，其具有的优点：