[发明专利]基于梯度蒸发模具的CVD-Tax

权利要求书

1.一种基于梯度蒸发模具的CVD-Ta_xHf_1-xC固溶体涂层的制备方法，其特征在于步骤如下：

步骤1：将C/C基体打磨抛光，采用去离子水超声清洗30min后置于温度为80℃的烘箱里烘干6h后，将其悬挂于化学气相沉积炉中；

步骤2：将前驱体HfCl₄和TaCl₅粉料按照摩尔比为1:3～3:1放置于蒸发容器内,并置于化学气相沉积炉的低温挥发区；

步骤3：将化学气相沉积炉抽真空至5Kpa，并且关闭阀门以及真空泵后保压1h，确保化学气相沉积炉压力无明显变化后通入流量为100～140ml/min的氩气；

步骤4：加热分两步，第一步以7℃/min加热到900℃，第二步以6℃/min加热到1100～1250℃，使炉腔在氩气保护下升温至预设温度；

步骤5：当沉积炉达到沉积温度时，通入流量为450-600ml/min的氢气和40-80ml/min的甲烷，使其与氩气在混气罐中混合后通入沉积炉，并在沉积温度下保温2-3h；

步骤6：沉积完成后挺直通入氢气和甲烷，继续通入氩气对炉腔进行清洗和降温，使炉体自然冷却，得到带有Ta_xHf_1-xC固溶体涂层的C/C复合材料。

2.根据权利要求1所述基于梯度蒸发模具的CVD-Ta_xHf_1-xC固溶体涂层的制备方法，其特征在于：所述沉积结束后，增大氩气流量至240mL/min，对炉腔进行清洗，及时将挥发及反映杂质抽走。

3.根据权利要求1所述基于梯度蒸发模具的CVD-Ta_xHf_1-xC固溶体涂层的制备方法，其特征在于：所述C/C基体打磨时分别采用600#、800#、1000#的SiC砂纸打磨。