[发明专利]显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种显示装置，所述显示装置包括：

基底；

第一半导体层，设置在所述基底上，其中，所述第一半导体层包括沟道区和掺杂区；

第一栅电极，设置为与所述第一半导体层的所述沟道区叠置；

中间膜，设置在所述第一半导体层和所述第一栅电极上；以及

第一电极，设置在所述中间膜上，

其中，开口被限定为穿过所述中间膜以与所述第一半导体层的所述掺杂区叠置，

所述第一半导体层的所述掺杂区和所述第一电极通过所述中间膜的所述开口彼此接触，并且

所述中间膜的所述开口的与所述基底平行的剖面的面积在49μm²至81μm²的范围内。

2.如权利要求1所述的显示装置，其中，

所述第一半导体层包括氧化物半导体。

3.如权利要求1所述的显示装置，其中，

所述中间膜包括氮化硅。

4.如权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：

绝缘膜，设置在所述中间膜与所述第一电极之间，

其中，所述中间膜的全部区域与所述绝缘膜接触，并且所述绝缘膜包含有机材料。

5.如权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：

光阻挡层，设置在所述基底与所述第一半导体层之间，以及

缓冲层，设置在所述光阻挡层与所述第一半导体层之间，

其中，开口被限定为穿过所述缓冲层以与所述光阻挡层叠置，并且所述第一电极和所述光阻挡层通过所述缓冲层的所述开口彼此接触。

6.如权利要求5所述的显示装置，所述显示装置还包括：

第二半导体层，与所述第一半导体层设置在同一层中，其中，所述第二半导体层包括沟道区和掺杂区；以及

第一连接电极，与所述第一电极设置在同一层中，

其中，所述第一连接电极与所述第一栅电极和所述第二半导体层的所述掺杂区接触，并且将所述第一栅电极和所述第二半导体层彼此连接。

7.如权利要求6所述的显示装置，所述显示装置还包括：

数据线，与所述光阻挡层设置在同一层中，以及

第二连接电极，与所述第一电极设置在同一层中，

其中，所述第二连接电极与所述数据线和所述第二半导体层的所述掺杂区接触，并且将所述数据线和所述第二半导体层彼此连接。

8.如权利要求1所述的显示装置，其中，

所述中间膜的所述开口的与所述基底平行的剖面的形状是从多边形形状、圆形形状、椭圆形形状和包括多条边及将所述多条边彼此连接的曲线的形状中选择的一种。

9.如权利要求1所述的显示装置，其中，

所述第一半导体层的阈值电压在-1.0V至1.0V的范围内。

10.一种显示装置，所述显示装置包括：

基底；

第一半导体层，设置在所述基底上，其中，所述第一半导体层包括沟道区和掺杂区；

第一栅电极，设置为与所述第一半导体层的所述沟道区叠置；

中间膜，设置在所述第一半导体层和所述第一栅电极上；以及

第一电极，设置在所述中间膜上，

其中，开口被限定为穿过所述中间膜以与所述第一半导体层的所述掺杂区叠置，

所述第一半导体层的所述掺杂区和所述第一电极通过所述中间膜的所述开口彼此接触，

所述第一半导体层包含氧化物半导体，

所述中间膜包含氮化硅，并且

所述中间膜的所述开口的宽度在7μm至9μm的范围内。