[发明专利]显示装置及其制造方法

说明书

提供了一种显示装置及其制造方法。所述显示装置包括：基底；第一半导体层，设置在基底上，其中，第一半导体层包括沟道区和掺杂区；第一栅电极，设置为与第一半导体层的沟道区叠置；中间膜，设置在第一半导体层和第一栅电极上；以及第一电极，设置在中间膜上，其中，开口被限定为穿过中间膜以与第一半导体层的掺杂区叠置，第一半导体层的掺杂区和第一电极通过开口彼此接触，并且开口的与基底平行的剖面的面积在约49μm²至约81μm²的范围内。

本申请要求于2020年7月7日提交的第10-2020-0083521号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

公开涉及一种显示装置及其制造方法，更具体地，涉及一种不包括与数据线设置在同一层中的源电极和漏电极的显示装置及其制造方法。

背景技术

在显示装置之中，平板显示装置由于诸如质量轻和厚度薄的期望的特性而备受关注。在平板显示装置之中，发光显示装置是通过使用发射光的发光二极管而不使用单独的光源来显示图像的自发射显示装置。另外，发光显示装置由于诸如功耗低、亮度高和反应速度快的各种期望的特性而作为下一代显示装置引起关注。

这样的发光显示装置通常包括多个像素，该多个像素包括发光二极管、用于驱动发光二极管的多个晶体管和至少一个电容器。

发明内容

在发光显示装置中，氧化物半导体可以用作晶体管的半导体层。在这样的发光显示装置中，期望降低在制造工艺中使用的掩模的数量以简化工艺。

发明的实施例涉及一种显示装置及其制造方法，该显示装置及其制造方法可以稳定地保持包含氧化物半导体的晶体管的性能。

发明的实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括：基底；第一半导体层，设置在基底上，其中，第一半导体层包括沟道区和掺杂区；第一栅电极，设置为与第一半导体层的沟道区叠置；中间膜，设置在第一半导体层和第一栅电极上；以及第一电极，设置在中间膜上，其中，开口被限定为穿过中间膜以与第一半导体层的掺杂区叠置，第一半导体层的掺杂区和第一电极通过中间膜的开口彼此接触，中间膜的开口的与基底平行的剖面的面积在约49平方微米(μm²)至约81μm²的范围内。

在实施例中，第一半导体层可以包含氧化物半导体。

在实施例中，中间膜可以包含氮化硅。

在实施例中，显示装置还可以包括设置在中间膜与第一电极之间的绝缘膜，其中，中间膜的全部区域可以与绝缘膜接触，并且绝缘膜可以包含有机材料。

在实施例中，显示装置还可以包括：光阻挡层，设置在基底与第一半导体层之间；以及缓冲层，设置在光阻挡层与第一半导体层之间，其中，开口可以被限定为穿过缓冲层以与光阻挡层叠置，并且第一电极和光阻挡层可以通过缓冲层的开口彼此接触。

在实施例中，显示装置还可以包括：第二半导体层，与第一半导体层设置在同一层中，其中，第二半导体层可以包括沟道区和掺杂区；以及第一连接电极，与第一电极设置在同一层中，其中，第一连接电极可以与第一栅电极和第二半导体层的掺杂区接触，并且可以将第一栅电极和第二半导体层彼此连接。

在实施例中，显示装置还可以包括：数据线，与光阻挡层设置在同一层中；第二连接电极，与第一电极设置在同一层中，其中，第二连接电极可以与数据线和第二半导体层的掺杂区接触，并且可以将数据线和第二半导体层彼此连接。

在实施例中，中间膜的开口的与基底平行的剖面的形状可以是从多边形形状、圆形形状、椭圆形形状和包括多条边及将多条边彼此连接的曲线的形状中选择的一种。

在实施例中，第一半导体层的阈值电压可以在约-1.0伏特(V)至约1.0V的范围内。