[发明专利]半导体元件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包含：

形成一虚设栅极于一半导体鳍片的一通道部位上方，其中该半导体鳍片的多个未覆盖部位自该虚设栅极暴露出；

沉积一氧化物层于该虚设栅极以及该半导体鳍片上方；

沉积一氮硅化物层于该氧化物层上方；

掺杂该氮硅化物层以于该氮硅化物层中形成一富掺杂层；

将该富掺杂层中的一掺杂物撞击至该氧化物层中；

将该富掺杂层中的该掺杂物撞击至该氧化物层中之后，形成多个轻掺杂漏极区域于该半导体鳍片的该些未覆盖部位；

图案化该氮硅化物层以及该氧化物层以形成一对栅极间隙壁于该虚设栅极的相对的两侧壁上，其中该些轻掺杂漏极区域中的一者的一顶部位所具有的一掺杂浓度是高于该对栅极间隙壁中的一者的一底部位所具有的一掺杂浓度，该些轻掺杂漏极区域中的该者的一底部位所具有的一掺杂浓度是低于该对栅极间隙壁中的该者的该底部位所具有的该掺杂浓度；

移除该半导体鳍片中未被该虚设栅极以及该对栅极间隙壁覆盖的多个部位以于该半导体鳍片中形成多个凹陷部位，其中该些凹陷部位位于该虚设栅极的相对两侧；

磊晶形成多个磊晶结构于该半导体鳍片的该些凹陷部位上；

移除该虚设栅极以形成一开口于该对栅极间隙壁之间；以及

形成一栅极结构于该对栅极间隙壁之间的该开口。

2.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，该对栅极间隙壁中的该者的该底部位的该掺杂浓度的一范围为6x10¹⁹ atoms/cm³至1x10²⁰ atoms/cm³。

3.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，该掺杂物包含砷、磷、硼或上述掺杂物的任意组合。

4.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，将该富掺杂层中的该掺杂物撞击至该氧化物层中是通过一惰性气体离子的散射将该掺杂物撞击至该氧化物层中。

5.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，还包含：

在将该富掺杂层中的该掺杂物撞击至该氧化物层中之后，且在形成该些轻掺杂漏极区域于该半导体鳍片的该些未覆盖部位之前，执行一退火制程以扩散位于该氧化物层中的该掺杂物。

6.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包含：

形成一虚设栅极于一半导体鳍片上方；

沉积一氧化物层于该虚设栅极以及该半导体鳍片上方；

沉积一氮硅化物层于该氧化物层上方；

执行一等离子离子辅助沉积制程将一掺杂物掺杂至该氮硅化物层；

将该掺杂物自该氮硅化物层撞击至该氧化物层中；

将该掺杂物自该氮硅化物层撞击至该氧化物层中之后，执行一退火制程以扩散位于该氧化物层中的该掺杂物；

执行该退火制程之后，形成多个轻掺杂漏极区域于该半导体鳍片；

图案化该氮硅化物层以及该氧化物层以形成一对栅极间隙壁于该虚设栅极的相对的两侧壁上，其中该些轻掺杂漏极区域中的一者的一顶部位所具有的一掺杂浓度是高于该对栅极间隙壁中的一者的一底部位所具有的一掺杂浓度，该些轻掺杂漏极区域中的该者的一底部位所具有的一掺杂浓度是低于该对栅极间隙壁中的该者的该底部位所具有的该掺杂浓度；

移除该半导体鳍片中未被该虚设栅极以及该对栅极间隙壁覆盖的多个部位以于该半导体鳍片中形成多个凹陷部位，其中该些凹陷部位位于该虚设栅极的相对两侧；

磊晶形成多个磊晶结构于该半导体鳍片的该些凹陷部位上；以及

将该虚设栅极取代为一栅极结构。

7.根据权利要求6所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，该掺杂物为一硼化物，且该硼化物的掺杂物浓度为一范围从1x10²⁰ atoms/cm³至1x10²¹atoms/cm³。